- 专利标题： PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CIRCUIT INTÉGRÉ COMPRENANT UNE PHASE DE FORMATION DE TRANCHÉES DANS UN SUBSTRAT ET CIRCUIT INTÉGRÉ CORRESPONDANT
- 专利标题（英）： METHOD FOR MANUFACTURING AN INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING A PHASE FOR FORMING TRENCHES IN A SUBSTRATE AND CORRESPONDING INTEGRATED CIRCUIT
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申请号： EP20200176.4申请日： 2020-10-06
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公开(公告)号： EP3809455A1公开(公告)日： 2021-04-21
- 发明人: JULIEN, Franck , MARZAKI, Abderrezak
- 申请人： STMicroelectronics (Rousset) SAS
- 申请人地址： FR 13790 Rousset ZI de Peynier Rousset Avenue Coq
- 代理机构： Casalonga
- 优先权： FR1911549 20191016
- 主分类号： H01L21/762
- IPC分类号： H01L21/762 ; H01L27/105 ; H01L27/11541
摘要：
Le procédé de fabrication de circuit intégré comprend une phase de formation de tranchées comprenant :
- une formation d'une première couche d'arrêt (20) ;
- une formation d'une deuxième couche d'arrêt (30) sur la première couche d'arrêt (20) dans une deuxième zone (Z2) seulement ;
- une gravure sèche (400) configurée pour graver en un temps donné la première couche d'arrêt (20) puis au moins une première tranchée (410) dans le substrat (10) jusqu'à une première profondeur (P1), et pour graver en même temps dans la deuxième zone (Z2), la deuxième couche d'arrêt (30), puis la première couche d'arrêt (20), puis au moins une deuxième tranchée (420) dans le substrat (10) jusqu'à une deuxième profondeur (P2), la deuxième profondeur (P2) étant inférieure à la première profondeur (P1).
- une formation d'une première couche d'arrêt (20) ;
- une formation d'une deuxième couche d'arrêt (30) sur la première couche d'arrêt (20) dans une deuxième zone (Z2) seulement ;
- une gravure sèche (400) configurée pour graver en un temps donné la première couche d'arrêt (20) puis au moins une première tranchée (410) dans le substrat (10) jusqu'à une première profondeur (P1), et pour graver en même temps dans la deuxième zone (Z2), la deuxième couche d'arrêt (30), puis la première couche d'arrêt (20), puis au moins une deuxième tranchée (420) dans le substrat (10) jusqu'à une deuxième profondeur (P2), la deuxième profondeur (P2) étant inférieure à la première profondeur (P1).
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