Stapeiförmiges photonisches III-V-Halbleiterbauelement, aufweisend eine erste und eine zweite metallische Anschlusskontaktschicht, eine hochdotierte erste Halbleiterkontaktschicht, ein schwach dotiertes Absorptionsgebiet mit einer Schichtdicke von 80 µm - 2000 µm, wobei die erste Halbleiterkontaktschicht als Mesa-Struktur auf der Oberseite des Absorptionsgebiets ausgebildet ist, die Unterseite der ersten metallischen Anschlusskontaktschicht stoffschlüssig mit der Oberseite der ersten Halbleiterkontaktschicht verbunden ist und die zweite metallische Anschlusskontaktschicht unterhalb einer Unterseite des Absorptionsgebiets angeordnet ist, das stapelförmige photonische III-V-Halbleiterbauelement eine dotierte III-V-Halbleiterpassivierungsschicht aufweist, wobei die III-V-Halbleiterpassivierungsschicht in einem ersten Abstand von mindestens 0,2 µm oder von mindestens 20 µm zu der Mesa-Struktur der ersten Halbleiterkontaktschicht auf der Oberseite des Absorptionsgebiets angeordnet und mit der Oberseite des Absorptionsgebiets stoffschlüssig verbunden ist und sich eine Energiebandlücke des Absorptionsgebiets von einer Energiebandlücke der III-V-Halbleiterpassivierungsschicht unterscheidet.