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    ELECTRON HOLE SPIN QUBIT TRANSISTOR, AND METHODS FOR FORMING A ELECTRON HOLE SPIN QUBIT TRANSISTOR
    5.
    发明公开
    ELECTRON HOLE SPIN QUBIT TRANSISTOR, AND METHODS FOR FORMING A ELECTRON HOLE SPIN QUBIT TRANSISTOR 审中-公开

    公开(公告)号：EP4235794A1

    公开(公告)日：2023-08-30

    申请号：EP22159157.1

    申请日：2022-02-28

    申请人： Epinovatech AB

    发明人： OLSSON, Martin Andreas

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/20 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66 ,  B82Y10/00

    摘要： The present inventive concept relates to an electron hole-spin qubit transistor comprising a base layer, a first qubit (103) comprising, a first computing semiconductor island (106) and a first readout semiconductor island (108) arranged with a distance in the range of 3-10 nm therebetween, a second qubit (5) comprising, a second computing semiconductor island (110) and a second readout semiconductor island (112) arranged with a distance in the range of 3-10 nm therebetween, wherein each of said semiconductor islands has a size causing each of said semiconductor islands to exhibit 3-dimensional quantum confinement of a single electron hole, and wherein each of said semiconductor islands forms a heterojunction with the base layer. Each of the four semiconductor islands having a respective gate electrode (G1-G4) for modulating the spin energy levels therein or reading out the quantum dots. Said first computing semiconductor island and said second computing semiconductor island are configured to have a unique resonance frequency respectively. The present inventive concept further comprises a method for forming a spin qubit transistor and a quantum computer comprising at least one spin qubit transistor.

    HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR
    7.
    发明公开
    HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR 审中-公开

    公开(公告)号：EP4216281A1

    公开(公告)日：2023-07-26

    申请号：EP23159968.9

    申请日：2020-04-07

    申请人： United Microelectronics Corp.

    发明人： YANG, Po-Yu

    IPC分类号： H01L29/778 ,  H01L21/338 ,  H01L21/336 ,  H01L29/205 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/20

    摘要： A method for fabricating high electron mobility transistor, HEMT, comprising: forming a buffer layer (14) on a substrate (12); forming a first barrier layer (16) on the buffer layer; forming a patterned mask on the first barrier layer; forming a second barrier layer (20) adjacent to two sides of the patterned mask; removing the patterned mask to form a recess; forming a gate dielectric layer (28) along sidewalls and a bottom surface of the recess; forming a work function metal layer (50) on the gate dielectric layer; forming a gate electrode (22) on the work function metal layer and filling in the recess; and
    forming a source electrode (24) and a drain electrode (26) adjacent to two sides of the gate electrode.

    STAPELFÖRMIGE HOCHSPERRENDE III-V-HALBLEITERLEISTUNGSDIODE
    8.
    发明公开
    STAPELFÖRMIGE HOCHSPERRENDE III-V-HALBLEITERLEISTUNGSDIODE 审中-公开

    公开(公告)号：EP4138146A3

    公开(公告)日：2023-06-28

    申请号：EP22199689.5

    申请日：2020-04-06

    申请人： AZUR SPACE Solar Power GmbH

    发明人： FUHRMANN, Daniel ,  KELLER, Gregor ,  WÄCHTER, Clemens

    IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/04 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267

    摘要： Gemäß dem ersten Gegenstand der Erfindung wird eine stapelförmige hochsperrende III-V-Halbleiterleistungsdiode bereitgestellt, aufweisend eine zumindest gebietsweise ausgebildete erste metallische Anschlusskontaktschicht und einen hochdotierten Halbleiterkontaktbereich eines ersten Leitfähigkeitstyps mit einer ersten Gitterkonstante. Des Weiteren ist eine Driftschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps vorgesehen. Außerdem ist eine hochdotierte metamorphe Pufferschichtfolge von dem zweiten Leitfähigkeitstyp ausgebildet. Die metamorphe Pufferschichtfolge weist eine Oberseite mit der ersten Gitterkonstante und eine Unterseite mit einer zweiten Gitterkonstante auf, wobei die erste Gitterkonstante größer als die zweite Gitterkonstante ist. Die Oberseite der metamorphen Pufferschichtfolge ist in Richtung der Driftschicht angeordnet. Unterhalb der Unterseite der metamorphen Pufferschichtfolge ist eine zweite metallische Anschlusskontaktschicht angeordnet. Es sei angemerkt, dass die vorgenannten Bereiche und Schichten in der genannten Reihenfolge angeordnet sind. Die zweite metallische Anschlusskontaktschicht ist stoffschlüssig mit einer Halbleiterkontaktschicht verbunden.

    STAPELFÖRMIGE HOCHSPERRENDE III-V-HALBLEITERLEISTUNGSDIODE
    10.
    发明公开
    STAPELFÖRMIGE HOCHSPERRENDE III-V-HALBLEITERLEISTUNGSDIODE 审中-公开

    公开(公告)号：EP4138146A2

    公开(公告)日：2023-02-22

    申请号：EP22199689.5

    申请日：2020-04-06

    申请人： AZUR SPACE Solar Power GmbH

    发明人： FUHRMANN, Daniel ,  KELLER, Gregor ,  WÄCHTER, Clemens

    IPC分类号： H01L29/861 ,  H01L29/04 ,  H01L29/205 ,  H01L29/267

    摘要： Gemäß dem ersten Gegenstand der Erfindung wird eine stapelförmige hochsperrende III-V-Halbleiterleistungsdiode bereitgestellt, aufweisend eine zumindest gebietsweise ausgebildete erste metallische Anschlusskontaktschicht und einen hochdotierten Halbleiterkontaktbereich eines ersten Leitfähigkeitstyps mit einer ersten Gitterkonstante. Des Weiteren ist eine Driftschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps vorgesehen. Außerdem ist eine hochdotierte metamorphe Pufferschichtfolge von dem zweiten Leitfähigkeitstyp ausgebildet. Die metamorphe Pufferschichtfolge weist eine Oberseite mit der ersten Gitterkonstante und eine Unterseite mit einer zweiten Gitterkonstante auf, wobei die erste Gitterkonstante größer als die zweite Gitterkonstante ist. Die Oberseite der metamorphen Pufferschichtfolge ist in Richtung der Driftschicht angeordnet. Unterhalb der Unterseite der metamorphen Pufferschichtfolge ist eine zweite metallische Anschlusskontaktschicht angeordnet. Es sei angemerkt, dass die vorgenannten Bereiche und Schichten in der genannten Reihenfolge angeordnet sind. Die zweite metallische Anschlusskontaktschicht ist stoffschlüssig mit einer Halbleiterkontaktschicht verbunden.