- 专利标题： INCREASED EFFICIENCY OF CURRENT INDUCED MOTION OF CHIRAL DOMAIN WALLS BY INTERFACE ENGINEERING
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申请号： EP20176531.0申请日： 2020-05-26
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公开(公告)号： EP3916728A1公开(公告)日： 2021-12-01
- 发明人: GUAN, Yicheng , MA, Tianping , BLAESING, Robin , PARKIN, Stuart S.P.
- 申请人： Max-Planck-Gesellschaft zur Förderung der Wissenschaften e.V.
- 申请人地址： DE 80539 München Hofgartenstraße 8
- 代理机构： Schweitzer, Klaus
- 主分类号： G11C11/16
- IPC分类号： G11C11/16 ; G11C19/08
摘要：
The present invention relates to a magnetic domain wall displacement type memory cell (racetrack memory device), comprising a 4d or 5d metal dusting layer (DL) at the ferromagnetic/heavy metal interface of the ferromagnetic (FM) structure or the synthetic antiferromagnetic (SAF) structure of the basic racetrack device structure.
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