- 专利标题： PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE CELLULE MÉMOIRE RÉSISTIVE DE TYPE OXRAM
- 专利标题（英）： METHOD FOR MANUFACTURING AN OXRAM RESISTIVE MEMORY CELL
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申请号： EP20731867.6申请日： 2020-06-11
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公开(公告)号： EP3984073A1公开(公告)日： 2022-04-20
- 发明人: MOLAS, Gabriel , PICCOLBONI, Guiseppe , REGEV, Amir , CASTELLANI, Gaël , NODIN, Jean-François
- 申请人： Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives , Weebit Nano Ltd
- 申请人地址： FR 75015 Paris Bâtiment "Le Ponant D" 25, rue Leblanc; IL 4527713 Hod-HaSharon 24 Hanagar St
- 代理机构： Cabinet Camus Lebkiri
- 优先权： FR1906261 20190612
- 国际公布： WO2020249699 20201217
- 主分类号： H01L45/00
- IPC分类号： H01L45/00
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