- 专利标题： PRECISION TUNING OF A PAGE OR WORD OF NON-VOLATILE MEMORY CELLS AND ASSOCIATED HIGH VOLTAGE CIRCUITS FOR AN ANALOG NEURAL MEMORY ARRAY IN AN ARTIFICIAL NEURAL NETWORK
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申请号： EP20786400.0申请日： 2020-09-22
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公开(公告)号： EP4128239A1公开(公告)日： 2023-02-08
- 发明人: TRAN, Hieu Van , VU, Thuan , TRINH, Stephen , HONG, Stanley , LY, Anh , LEMKE, Steven , TIWARI, Vipin , DO, Nhan
- 申请人： Silicon Storage Technology Inc.
- 申请人地址： US San Jose CA 95134 450 Holger Way
- 代理机构： Betten & Resch
- 优先权： US202017024410 20200917
- 国际公布： WO2021194547 20210930
- 主分类号： G11C11/54
- IPC分类号： G11C11/54 ; G11C16/08 ; G11C16/10 ; G11C16/30 ; G11C16/04 ; G11C16/16
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