发明公开
- 专利标题： PROCEDE DE TRANSFERT D'UNE COUCHE UTILE EN DIAMANT CRISTALLIN SUR UN SUBSTRAT SUPPORT
- 专利标题（英）： METHOD FOR TRANSFERRING A USEFUL LAYER OF CRYSTALLINE DIAMOND ONTO A SUPPORT SUBSTRATE
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申请号： EP22210688.2申请日： 2022-11-30
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公开(公告)号： EP4199040A1公开(公告)日： 2023-06-21
- 发明人: MASANTE, Cédric , LE VAN-JODIN, Lucie , MAZEN, Frédéric , MILESI, Frédéric
- 申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
- 申请人地址： FR 75015 Paris Bâtiment "Le Ponant D" 25 rue Leblanc
- 代理机构： INNOV-GROUP
- 优先权： FR2113702 20211216
- 主分类号： H01L21/04
- IPC分类号： H01L21/04 ; H01L21/18 ; H01L21/324 ; H01L21/762 ; H01L21/02 ; H01L21/265
摘要：
Procédé de transfert d'une couche utile (1) sur un substrat support (2), comportant les étapes successives :
a) prévoir un substrat donneur (3) réalisé dans un diamant cristallin ;
b) implanter des espèces gazeuses (4), à travers la première surface (30) du substrat donneur (3), selon une dose et une température données d'implantation adaptées pour former une zone plane graphitique (5) ;
c) assembler le substrat donneur (3) au substrat support (2) par une adhésion directe ;
d) appliquer un recuit thermique selon un budget thermique adapté pour fracturer le substrat donneur (3) suivant la zone plane graphitique (5) ; la température de recuit étant supérieure ou égale à 800°C ;
la température d'implantation est :
supérieure à une température minimale au-delà de laquelle un bullage des espèces gazeuses (4) implantées s'opère à la première surface (30) lorsque le substrat donneur (3) est soumis, en l'absence d'un effet raidisseur, à un recuit thermique selon ledit budget thermique,
inférieure à une température maximale au-delà de laquelle la dose donnée d'implantation ne permet plus de former la zone plane graphitique (5).
a) prévoir un substrat donneur (3) réalisé dans un diamant cristallin ;
b) implanter des espèces gazeuses (4), à travers la première surface (30) du substrat donneur (3), selon une dose et une température données d'implantation adaptées pour former une zone plane graphitique (5) ;
c) assembler le substrat donneur (3) au substrat support (2) par une adhésion directe ;
d) appliquer un recuit thermique selon un budget thermique adapté pour fracturer le substrat donneur (3) suivant la zone plane graphitique (5) ; la température de recuit étant supérieure ou égale à 800°C ;
la température d'implantation est :
supérieure à une température minimale au-delà de laquelle un bullage des espèces gazeuses (4) implantées s'opère à la première surface (30) lorsque le substrat donneur (3) est soumis, en l'absence d'un effet raidisseur, à un recuit thermique selon ledit budget thermique,
inférieure à une température maximale au-delà de laquelle la dose donnée d'implantation ne permet plus de former la zone plane graphitique (5).
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