Réalisation d'un dispositif quantique à Qbits de spin comprenant un substrat de type semi-conducteur sur isolant, le substrat étant doté d'une couche semi-conductrice superficielle (12), la couche semi-conductrice superficielle étant disposée sur une couche isolante (11), la couche isolante étant agencée sur une face supérieure d'une couche de support semi-conductrice (10). Le dispositif est muni d'au moins un composant formé d'un ou plusieurs ilots quantiques s'étendant dans la couche semi-conductrice superficielle (12), les ilots quantiques sont induits par des électrodes de grilles (20A, 20B), dites avants, contrôlant l' électrostatique des ilots quantiques et étant disposées sur la couche semi-conductrice superficielle. En plus le composant est doté en outre d'une grille de contrôle électrostatique arrière, ladite grille de contrôle arrière étant formée d'une couche conductrice (119) tapissant des parois latérales et un fond d'une ouverture (517) traversant ladite couche de support semi-conductrice depuis une face inférieure de ladite couche de support opposée à ladite face supérieure jusqu'à ladite couche isolante (11) du substrat, ladite couche conductrice (119) étant disposée, au fond de l'ouverture (517), contre et avantageusement en contact avec ladite couche isolante du substrat, ladite couche conductrice (119) étant disposée contre et en contact avec ladite couche de support semi-conductrice au niveau desdites parois latérales de ladite ouverture. L'ouverture (517) dans laquelle la grille arrière est formée est gravée de manière concomitante avec des tranchées de découpage (111).