公开(公告)号：EP3844807B1

公开(公告)日：2025-02-19

申请号：EP19779058.7

申请日：2019-08-23

Inventor： FRIJLINK, Peter

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

公开(公告)号：EP4505515A1

公开(公告)日：2025-02-12

申请号：EP23719826.2

申请日：2023-04-03

Applicant: SOITEC

Inventor： GHYSELEN, Bruno

IPC: H01L21/98 ,  H01L25/00 ,  H01L21/78

公开(公告)号：EP4014251B1

公开(公告)日：2025-01-01

申请号：EP20851499.2

申请日：2020-07-31

Inventor： PARK, Jungrae ,  BALAKRISHNAN, Karthik ,  PAPANU, James, S.

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/67 ,  B23K26/066 ,  H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  B23K26/362 ,  B23K26/06 ,  B23K103/00

公开(公告)号：EP4478429A1

公开(公告)日：2024-12-18

申请号：EP24000069.5

申请日：2024-06-07

Applicant: AZUR SPACE Solar Power GmbH

Inventor： Sommer, Steffen ,  Köstler, Wolfgang

IPC: H01L31/0687 ,  H01L31/0693 ,  H01L31/18 ,  H01L21/268 ,  H01L21/78

Abstract: Verfahren zur Herstellung einer grabenförmigen Struktur bei einer III-V Mehrfachsolarzelle mit einer Oberseite und einer Unterseite, und die III-V Mehrfachsolarzelle ein an der Unterseite angeordnetes Substrat umfasst, und das Substrat auf einer Vorderseite ein Epi-Schichtsystem aufweist, wobei das Epi-Schichtsystem wenigstens eine an der Oberseite ausgebildete erste III-V Solarzelle umfasst, auf der ersten Solarzelle eine organische Schicht angeordnet ist, und In einem ersten Verfahrensschritt mittels eines Lasers ein erster Graben mit einer Breite X erzeugt wird, und in einem zweiten Verfahrensschritt mittels des Lasers ein zweiter Graben mit einer Breite Y und mit einer in dem Substrat ausgebildeten Bodenfläche erzeugt wird, wobei die Breite Y kleiner als die Breite X ist, so dass sich mit der Ausführung des zweiten Verfahrensschritts eine erste Stufe ausbildet.

公开(公告)号：EP4428935B1

公开(公告)日：2024-12-04

申请号：EP24000025.7

申请日：2024-03-01

Inventor： Köstler, Wolfgang ,  Sommer, Steffen ,  Noumissing Sao, Chérubin

IPC: H01L31/18 ,  H01L31/0687 ,  H01L31/0304 ,  H01L21/78

公开(公告)号：EP4466730A1

公开(公告)日：2024-11-27

申请号：EP23703100.0

申请日：2023-01-17

Applicant: SOITEC

Inventor： GHYSELEN, Bruno

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/78

公开(公告)号：EP3631848B1

公开(公告)日：2024-10-16

申请号：EP18805731.9

申请日：2018-05-11

Inventor： LI, Wenguang ,  PAPANU, James S. ,  LEI, Wei-Sheng ,  KUMAR, Prabhat ,  EATON, Brad ,  KUMAR, Ajay ,  LERNER, Alexander N.

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/027 ,  H01L21/308 ,  H01L21/311

公开(公告)号：EP4437585A1

公开(公告)日：2024-10-02

申请号：EP22817284.7

申请日：2022-11-16

Applicant: Universiteit Gent ,  Imec VZW

Inventor： CUYVERS, Stijn ,  ROELKENS, Gunther ,  VAN GASSE, Kasper ,  KUYKEN, Bart

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/683

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/6832220130101 ,  H01L2221/683520130101 ,  H01L2221/6836820130101 ,  H01L2221/6838120130101 ,  H01L2221/6835420130101

公开(公告)号：EP3857617B1

公开(公告)日：2024-07-31

申请号：EP19778932.4

申请日：2019-09-24

IPC: H01L31/18 ,  H01L21/78 ,  H01L31/05

CPC classification number: H01L31/18 ,  H01L21/78 ,  H01L31/05 ,  Y02E10/50

公开(公告)号：EP4402717A1

公开(公告)日：2024-07-24

申请号：EP22870910.1

申请日：2022-09-13

Applicant: Adeia Semiconductor Bonding Technologies Inc.

Inventor： UZOH, Cyprian, Emeka ,  WORKMAN, Thomas ,  GUEVARA, Gabriel, Z. ,  SUWITO, Dominik ,  GAO, Guilian

IPC: H01L23/00 ,  H01L21/683 ,  H01L21/78 ,  H01L21/18

CPC classification number: H01L21/78 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/6832720130101 ,  H01L2221/6838120130101 ,  H01L21/67144