- 专利标题： PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT POUR LA CROISSANCE ÉPITAXIALE D'UNE COUCHE D'UN ALLIAGE III-N À BASE DE GALLIUM
- 专利标题（英）： METHOD FOR PRODUCING A SUBSTRATE FOR EPITAXIAL GROWTH OF A GALLIUM-BASED III-N ALLOY LAYER
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申请号： EP21801585.7申请日： 2021-10-04
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公开(公告)号： EP4226409A1公开(公告)日： 2023-08-16
- 发明人: GUIOT, Eric
- 申请人： SOITEC
- 申请人地址： FR 38190 Bernin Parc Technologique des Fontaines Chemin des Franques
- 代理机构： Regimbeau
- 优先权： FR2010206 20201006
- 国际公布： WO2022074318 20220414
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/04
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