- 专利标题： VERFAHREN ZUM BEIDSEITIGEN POLIEREN VON HALBLEITERSCHEIBEN ZWISCHEN EINEM UNTEREN POLIERTELLER UND EINEM OBEREN POLIERTELLER
- 专利标题（英）： METHOD FOR POLISHING SEMICONDUCTOR WAFERS ON BOTH SIDES BETWEEN A LOWER POLISHING PLATE AND AN UPPER POLISHING PLATE
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申请号： EP22184834.4申请日： 2022-07-13
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公开(公告)号： EP4306262A1公开(公告)日： 2024-01-17
- 发明人: Dutschke, Vladimir , Gustke, Andreas , Ihle, Albrecht
- 申请人： Siltronic AG
- 申请人地址： DE 81677 München Einsteinstraße 172 Tower B / Blue Tower
- 代理机构： Staudacher, Wolfgang
- 主分类号： B24B37/08
- IPC分类号： B24B37/08 ; B24D9/08 ; B24B7/17
摘要：
Verfahren zum beidseitigen Polieren von Halbleiterscheiben zwischen einem unteren Polierteller und einem oberen Polierteller mittels eines unteren und eines oberen Poliertuchs, die jeweils einen Innenrand und einen Außenrand aufweisen, umfassend
das Bekleben des unteren Poliertellers mit dem unteren Poliertuch;
das Pressen des unteren Poliertuchs gegen den unteren Polierteller;
das Ablegen von Halbleiterscheiben auf dem unteren Poliertuch; und
das beidseitige Polieren der Halbleiterscheiben in Gegenwart eines Poliermittels; gekennzeichnet durch
das Abdecken des unteren Poliertuchs mit einem Zwischentuch nach dem Pressen des unteren Poliertuchs gegen den unteren Polierteller und vor dem Ablegen der Halbleiterscheiben auf dem unteren Poliertuch;
das Ablegen von Distanzstücken auf das Zwischentuch, so dass sie konzentrisch zum Innenrand des unteren Poliertuchs und in annähernd gleichem Abstand zueinander auf dem Zwischentuch liegen;
das Ablegen des oberen Poliertuchs über das Zwischentuch und über die Distanzstücke, wobei das obere Poliertuch mit einer zum oberen Polierteller weisenden klebenden Schicht versehen ist;
das Pressen des oberen Poliertellers gegen den unteren Polierteller;
das Entfernen des Zwischentuchs und der Distanzstücke;
das Pressen des oberen Poliertuchs gegen den oberen Polierteller; und
das Pressen der Polierteller und Poliertücher gegeneinander.
das Bekleben des unteren Poliertellers mit dem unteren Poliertuch;
das Pressen des unteren Poliertuchs gegen den unteren Polierteller;
das Ablegen von Halbleiterscheiben auf dem unteren Poliertuch; und
das beidseitige Polieren der Halbleiterscheiben in Gegenwart eines Poliermittels; gekennzeichnet durch
das Abdecken des unteren Poliertuchs mit einem Zwischentuch nach dem Pressen des unteren Poliertuchs gegen den unteren Polierteller und vor dem Ablegen der Halbleiterscheiben auf dem unteren Poliertuch;
das Ablegen von Distanzstücken auf das Zwischentuch, so dass sie konzentrisch zum Innenrand des unteren Poliertuchs und in annähernd gleichem Abstand zueinander auf dem Zwischentuch liegen;
das Ablegen des oberen Poliertuchs über das Zwischentuch und über die Distanzstücke, wobei das obere Poliertuch mit einer zum oberen Polierteller weisenden klebenden Schicht versehen ist;
das Pressen des oberen Poliertellers gegen den unteren Polierteller;
das Entfernen des Zwischentuchs und der Distanzstücke;
das Pressen des oberen Poliertuchs gegen den oberen Polierteller; und
das Pressen der Polierteller und Poliertücher gegeneinander.
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