发明公开
- 专利标题： PROCÉDÉ DE RÉALISATION D'UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UNE GRILLE ARRIÈRE
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申请号： EP23219606.3申请日： 2023-12-22
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公开(公告)号： EP4391082A1公开(公告)日： 2024-06-26
- 发明人: NIEBOJEWSKI, Heimanu , BEDECARRATS, Thomas , BERTRAND, Benoit
- 申请人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
- 申请人地址： FR 75015 Paris Bâtiment "Le Ponant D" 25 rue Leblanc
- 专利权人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
- 当前专利权人： Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives
- 当前专利权人地址： FR 75015 Paris Bâtiment "Le Ponant D" 25 rue Leblanc
- 代理机构： Hautier IP
- 优先权： FR 14382 2022.12.23
- 主分类号： H01L29/786
- IPC分类号： H01L29/786 ; H01L29/66
摘要：
L'invention porte sur un procédé de réalisation d'une grille arrière (5) sous un dispositif semi-conducteur (D1) entouré par des tranchées d'isolation (2), comprenant :
• une gravure partielle des tranchées d'isolation (2) formant une ouverture (40b) vers la couche sacrificielle (11),
• un retrait sélectif de la couche sacrificielle (11) formant une cavité (50) sous le dispositif (D1),
• un remplissage de la cavité (50) par un matériau conducteur de sorte à former la grille arrière (5).
Avantageusement, la formation des tranchées d'isolation (2) comprend une formation d'une couche de revêtement sacrificielle (15) au niveau des flancs (21) des tranchées, en contact avec la couche sacrificielle (11), avant remplissage par un matériau isolant (16), et la gravure partielle des tranchées (2) comprend un retrait de cette couche de revêtement sacrificielle (15) sélectivement au matériau isolant (16).
• une gravure partielle des tranchées d'isolation (2) formant une ouverture (40b) vers la couche sacrificielle (11),
• un retrait sélectif de la couche sacrificielle (11) formant une cavité (50) sous le dispositif (D1),
• un remplissage de la cavité (50) par un matériau conducteur de sorte à former la grille arrière (5).
Avantageusement, la formation des tranchées d'isolation (2) comprend une formation d'une couche de revêtement sacrificielle (15) au niveau des flancs (21) des tranchées, en contact avec la couche sacrificielle (11), avant remplissage par un matériau isolant (16), et la gravure partielle des tranchées (2) comprend un retrait de cette couche de revêtement sacrificielle (15) sélectivement au matériau isolant (16).
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