ADVANCED STRUCTURES HAVING MOSFET TRANSISTORS AND METAL LAYERS

发明公开

EP4434092A1 ADVANCED STRUCTURES HAVING MOSFET TRANSISTORS AND METAL LAYERS 审中-实审

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专利标题： ADVANCED STRUCTURES HAVING MOSFET TRANSISTORS AND METAL LAYERS
申请号： EP22896654.5

申请日： 2022-11-14
公开(公告)号： EP4434092A1

公开(公告)日： 2024-09-25
发明人: Hsu, Fu-Chang
申请人： Hsu, Fu-Chang
申请人地址： US San Jose, California 95129 1228 Cordelia Ave.
专利权人： Hsu, Fu-Chang
当前专利权人： Hsu, Fu-Chang
当前专利权人地址： US San Jose, California 95129 1228 Cordelia Ave.
代理机构： Liedtke & Partner Patentanwälte
优先权： US 2163280119P 2021.11.16
国际申请： US2022079842 2022.11.14
国际公布： WO2023091898 2023.05.25
主分类号： H01L29/732
IPC分类号： H01L29/732 ; H01L29/735 ; H01L29/739 ; H01L29/80 ; H01L27/088 ; H01L27/092 ; H01L27/098

ADVANCED STRUCTURES HAVING MOSFET TRANSISTORS AND METAL LAYERS

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IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件（H01L31/00至H01L47/00，H01L51/05优先；除半导体或其电极之外的零部件入H01L23/00；由在一个共用衬底内或其上形成的多个固态组件组成的器件入H01L27/00）
H01L29/66	.按半导体器件的类型区分的
H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的（H01L29/96优先）
H01L29/70	...双极器件
H01L29/72	....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的
H01L29/73	.....双极结型晶体管
H01L29/732	......纵向晶体管