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发明专利
JP2005501428A Atmospheric pressure wafer processing reactor having a pressure control system and method 有权

Atmospheric pressure wafer processing reactor having a pressure control system and method
摘要：
センサーを利用してシステム内の圧力を測定し、制御ユニットを調節してシステム内に所望の設定圧力を維持する排出制御フィードバックシステムを有する、少なくとも１つの気体を送出するための大気圧ウェーハ処理システムが提供されている。 具体的には、センサーは、マッフルの内側、詳しくは、マッフルのロード区画、バイパス中心区画及びアンロード区画内側の、チェース周囲圧に対する僅かな差圧を測定する。 大気圧システム内のマッフル圧力を直接制御するので、外部環境の変化を受けることの少ない、ウェーハを処理するための安定した圧力バランスが作り出され、システムへの供給圧力が変化するときに生じるような入力気体流れの変動を補償することができる。 圧力制御のこのシステム及び方法は、長い稼働時間に亘って処理の再現性が改良されるので、化学気相蒸着には特に有用である。
【選択図】図２
摘要（英）：

Atmospheric pressure wafer processing system for having a discharge control feedback system, for delivering at least one gas by using a sensor to measure the pressure in the system, to maintain the desired set pressure in the system to adjust the control unit There has been provided. Specifically, the sensor, muffle the inside, for more information, muffle load compartment of, bypass central compartment and unload compartment of the inside, to measure the slight differential pressure against Chase ambient pressure. And controls the muffle pressure in the atmospheric pressure systems directly, less subject to changes in the external environment, stable pressure balance for processing the wafers produced, such as occurs when the supply pressure to the system changes it is possible to compensate for variations in the input gas stream. The system and method of pressure control is because the reproducibility of the process over a long operating time can be improved, which is particularly useful for chemical vapor deposition.
.FIELD 2

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