公开(公告)号：KR102233812B1

公开(公告)日：2021-03-31

申请号：KR1020140097532A

申请日：2014-07-30

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 임창율 ,  금의석 ,  박정혁 ,  정동환

IPC分类号： G05B19/418 ,  H01L21/00

CPC分类号： G06Q10/06314 ,  G06Q50/04 ,  Y02P90/30

摘要： 본 발명의 실시 예에 따른 복수의 설비들로부터의 설비 정보를 처리하는 방법은: 상기 복수의 설비들로부터 수집된 상기 설비 정보를 실제 정보 및 연관 정보를 갖도록 표준화하는 단계; 네트워크를 통하여, 단위 시간당 예상되는 상기 설비 정보의 생산량에 기초하여 상기 표준화된 설비 정보를 수집하는 단계; 상기 수집된 설비 정보를 객체화하여 분석 정보를 생성하는 단계; 그리고 상기 분석 정보를 정보 분류표에 따라 단위 스케줄로 재구성하는 역 스케줄링을 실행하는 단계를 포함할 수 있다. 본 발명에 의하면, 제품의 생산성을 향상시킬 수 있다.

公开(公告)号：JP2019174296A

公开(公告)日：2019-10-10

申请号：JP2018063183

申请日：2018-03-28

申请人： 住友金属鉱山株式会社

发明人： 石川 治男

IPC分类号： H01L21/66 ,  G01N25/72 ,  H01L21/00 ,  G01N25/18

摘要： 【課題】ウエハを加熱した際の構造変化を正確に評価できるウエハの構造解析シミュレーション方法を提供する。 【解決手段】ウエハを加熱した際の構造変化をシミュレーションするウエハの構造解析シミュレーション方法であって、 加熱後の前記ウエハ内の温度分布を解析する熱解析工程と、 前記熱解析工程で求めた加熱後の前記ウエハ内の温度分布から加熱後の前記ウエハの形状を算出する構造解析工程と、 前記構造解析工程で得られた加熱後の前記ウエハの形状に基いて、前記ウエハの回転量を算出し、ウエハの回転を補正する回転補正工程と、を有するウエハの構造解析シミュレーション方法を提供する。 【選択図】図3

公开(公告)号：JP6393407B2

公开(公告)日：2018-09-19

申请号：JP2017509604

申请日：2015-04-29

申请人： シノプシス, インコーポレイテッド ,  SYN0PSYS, INC.

发明人： テルテリャーン, アルセン ,  シレント, トンマーゾ

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/265

CPC分类号： H01L21/027 ,  G06F17/5009 ,  G06F17/5036

公开(公告)号：JP6368686B2

公开(公告)日：2018-08-01

申请号：JP2015117527

申请日：2015-06-10

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 野田 勇人 ,  山口 達也 ,  増永 正義 ,  吉井 弘治

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/31 ,  C23C16/52 ,  G06N3/12 ,  H01L21/00 ,  H01L21/22 ,  H01L21/02

CPC分类号： F27D19/00 ,  F27B1/02 ,  F27B1/10 ,  F27B17/0025 ,  F27D2019/0096 ,  G05B13/042 ,  G06N3/126 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248

公开(公告)号：JP2018006708A

公开(公告)日：2018-01-11

申请号：JP2016136236

申请日：2016-07-08

申请人： 株式会社SUMCO

发明人： 藤瀬 淳 ,  小野 敏昭 ,  高 奉均

IPC分类号： H01L21/66 ,  G06F17/50 ,  H01L21/00

摘要： 【課題】本発明の目的は、デバイス形成工程において半導体基板中に転位が発生するか否かを従来よりも高精度に予測することができる方法を提案する。 【解決手段】半導体基板における応力集中点を含む領域の応力分布を算出し、算出した応力分布から応力集中点の応力拡大係数Kを算出し、算出した応力拡大係数Kと、応力集中点において転位が発生する臨界の応力拡大係数K cri とを比較して、応力集中点において転位が発生するか否かを予測し、応力拡大係数Kの算出は、τ:応力、r:応力集中点からの距離、λおよびτ A :変数として、下記式(α)および上記応力分布を用いた重回帰分析により行うことを特徴とする転位発生予測方法。 【数1】 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017163035A

公开(公告)日：2017-09-14

申请号：JP2016047310

申请日：2016-03-10

申请人： 東芝メモリ株式会社

发明人： 市川 尚志

IPC分类号： H01L21/3065 ,  G03F7/20 ,  G03F1/36 ,  H01L21/205 ,  H01L21/00

CPC分类号： G06F17/50 ,  G06F17/5009 ,  G06F2217/16

摘要： 【課題】形状シミュレーションの簡略化と精度向上とを両立可能な形状シミュレーション装置、形状シミュレーション方法、および形状シミュレーションプログラムを提供する。 【解決手段】一の実施形態によれば、形状シミュレーション装置は、N個の時刻T 1 〜T N (Nは2以上の整数)における計算領域内の物質の形状を設定する形状設定部を備える。前記装置はさらに、前記時刻T 1 〜T N における前記物質の形状を独立に時間発展させ、前記時刻T 1 〜T N から時刻T 1 ’〜T N ’までの前記物質の形状の変化をそれぞれ表す第1〜第Nの値を計算する時間発展計算部を備える。前記装置はさらに、前記第1〜第Nの値に基づいて、時刻T N+1 における前記物質の形状を計算する形状計算部を備える。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017005106A

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：JP2015117527

申请日：2015-06-10

申请人： 東京エレクトロン株式会社

发明人： 野田 勇人 ,  山口 達也 ,  増永 正義 ,  吉井 弘治

IPC分类号： H01L21/324 ,  H01L21/31 ,  C23C16/52 ,  G06N3/12 ,  H01L21/00 ,  H01L21/22 ,  H01L21/02

CPC分类号： F27D19/00 ,  F27B1/02 ,  F27B1/10 ,  F27B17/0025 ,  G05B13/042 ,  G06N3/126 ,  H01L21/67109 ,  H01L21/67248 ,  F27D2019/0096

摘要： 【課題】パラメータの調整を容易に行うことができる熱処理装置、熱処理装置の調整方法、および、プログラムを提供する。 【解決手段】制御部50は、複数の評価指標と、各評価指標の重みと、評価関数の値を算出する回数と、初期パラメータ値とを含む情報を受信し、受信した情報に基づいて、シミュレーションを実行する。次に、制御部50は、シミュレーション結果に基づいて、評価関数の値を算出し、算出した評価関数の値が最小であるか否かを判別し、評価関数の値が最小であると判別すると、パラメータを更新する。評価関数の値の算出においては、受信した評価関数の値を算出する回数に基づいて、再度評価関数の値を算出する。また、制御部50は、再度評価関数の値を算出するときに、遺伝的アルゴリズムにより新たなパラメータを生成する。 【選択図】図1

摘要翻译： 热处理装置能够容易地调整参数，热处理装置的调整方法，以及程序。 控制单元50接收的多个度量，并且每个评价指标的权重，的计算评价函数的值的次数，所述信息包括所述初始参数值，基于所述接收的信息， 运行模拟。 接下来，基于模拟结果，控制单元50，以计算评价函数的值，计算出的评价函数的值，则确定评价函数的最小值是否被确定为最小 ，更新的参数。 在评价函数的值的基础上，计算接收到的评价函数的值的次数的计算，它再次计算评价函数的值。 控制单元50，再次计算评价函数的值，以产生由所述遗传算法的新参数时。 点域1

公开(公告)号：JP6034700B2

公开(公告)日：2016-11-30

申请号：JP2013001549

申请日：2013-01-09

申请人： 株式会社東芝

发明人： 市 川 尚 志

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： G06F17/5009 ,  G06F17/5018 ,  G06F2217/16

公开(公告)号：JP2016171207A

公开(公告)日：2016-09-23

申请号：JP2015049898

申请日：2015-03-12

申请人： 国立大学法人 東京大学 ,  株式会社ヒューリンクス

发明人： 藤原 毅夫 ,  山元 進 ,  池田 稔 ,  大谷 泰昭 ,  鈴木 隆史 ,  西野 信也

IPC分类号： H01L21/00

摘要： 【課題】第一原理計算に基づく計算結果を少ない個数のTBパラメータを用いたTB法で再現するとともに、用いたTBパラメータのtransferabilityを確保する。 【解決手段】強結合(TB)法により固体のバンド構造および全エネルギーを計算するTB計算手段2と、第1の構造を有する固体について、TB計算手段によるバンド構造が第一原理計算によるバンド構造を再現するように、TB法に含まれる第1のパラメータを決定する第1パラメータ決定手段3と、第2の構造を有する固体について、決定した第1のパラメータを用いてTB計算手段が計算したバンド構造が第一原理計算によるバンド構造を再現するように、TB法に含まれる第2のパラメータを決定する第2パラメータ決定手段4と、を備えている。 【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：通过使用较少数量的TB参数的TB方法的第一原理计算来再现计算结果，并确保所使用的TB参数的可转移性。解决方案：紧密绑定（TB）参数确定装置包括 TB计算装置2，用于通过紧密绑定（TB）方法计算固体的带结构和总能量;第一参数确定装置3，用于确定TB方法中包括的第一参数，使得TB的带结构 计算装置通过第一主计算再现带结构，对于具有第一结构的实体，以及用于确定包括在TB方法中的第二参数的第二参数确定装置4，使得由TB计算装置计算的频带结构再现 通过使用由此确定的第一参数通过第一主要计算的带结构，对于具有第二结构的实体 选图：图1

公开(公告)号：JP2016054228A

公开(公告)日：2016-04-14

申请号：JP2014179560

申请日：2014-09-03

申请人： 株式会社東芝

发明人： 宮野 ゆみこ

IPC分类号： G06F17/50 ,  H01L21/00

CPC分类号： G06F17/50

摘要： 【課題】立体形状データのデータサイズを可能な限り低減可能な半導体デバイス形状のシミュレーションプログラムを提供する。 【解決手段】本実施形態によるミュレーションプログラムは、演算部と、記憶部とを有するシミュレーション装置にシミュレーションを実行させる半導体デバイス形状のシミュレーションプログラムである。第1の立体形状データから製造プロセスのシミュレーションを行い第2の立体形状データを演算する。第1の立体形状データと第2の立体形状データとの差分としての第3の立体形状データを演算する。第3の立体形状データを用いて第1の立体形状データから第2の立体形状データを演算する演算式のデータを生成する。演算式のデータ及び第3の立体形状データを含むデータのデータサイズと、第2の立体形状データのデータサイズと、を比較し、データサイズの小さい方のデータを記憶部に格納させる。 【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种用于模拟能够减少三维形状数据的数据尺寸的半导体器件形状的程序。解决方案：根据实施例的仿真程序是用于模拟半导体器件形状的程序， 包括操作单元和存储单元的模拟装置执行模拟。 仿真程序：从第一三维形状数据对制造过程进行模拟，计算第二三维形状数据; 计算第三三维形状数据作为第一三维形状数据和第二三维形状数据之间的差; 使用第三三维形状数据从第一三维形状数据创建用于计算第二三维形状数据的算术表达式的数据; 并且将包括算术表达式和第三三维形状数据的数据的数据的数据大小与第二三维形状数据的数据大小进行比较，以使存储单元存储具有较小数据大小的数据。图示：图 1