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发明专利
JP2010507018A How to stabilized and functionalized metal layer having a porous 审中-公开

How to stabilized and functionalized metal layer having a porous
摘要：
本発明は、多孔質の金属層（１）を安定化しかつ機能化するための方法に関し、この場合この多孔質の金属層（１）は、金属マトリックス（３）中に含まれている細孔（５）を有する金属マトリックス（３）を含む。 第１の工程でセラミック材料（７）またはセラミック材料（７）の前駆体は、金属マトリックス（３）の細孔（５）中に導入され、第２の工程でセラミック材料の前駆体は、場合によってはセラミック材料（７）に変換され、引続き場合によっては多孔質の金属層の熱的または化学的な後処理が行なわれる。 更に、本発明は、細孔（５）を金属マトリックス（３）中に含む、殊に半導体トランジスタのゲート電極のための多孔質の金属層に関する。 金属マトリックス（３）の細孔（５）中には、セラミック材料が含有されている。
摘要（英）：

The present invention, pores relates to a method for stabilizing and and functionalized porous metal layer (1), a metal layer in this case the porous (1) is contained in the metal matrix (3) comprising a metal matrix (3) having (5). Precursor of the ceramic material (7) or a ceramic material (7) in the first step, is introduced into the pores (5) of the metal matrix (3), the precursor of the ceramic material in the second step, if some are converted into a ceramic material (7), thermal or chemical aftertreatment of the porous metal layer is carried out in some cases subsequently. Furthermore, the present invention, the pores (5) including the metal matrix (3), in particular relates to a porous metal layer for the gate electrode of the semiconductor transistor. In the pores (5) of the metal matrix (3), it is contained ceramic material.

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