发明专利
- 专利标题： Enhanced method of forming nickel silicide
- 专利标题（中）： 形成镍硅酸盐的增强方法
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申请号： JP2010186728申请日： 2010-08-24
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公开(公告)号： JP2011102429A公开(公告)日： 2011-05-26
- 发明人: CAHALEN JOHN P , GARY HAM , ALLARDYCE GEORGE R , JACQUES DAVID L
- 申请人： Rohm & Haas Electronic Materials Llc , ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.
- 专利权人： Rohm & Haas Electronic Materials Llc,ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー.
- 当前专利权人： Rohm & Haas Electronic Materials Llc,ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ，エル．エル．シー．
- 优先权： US27508509 2009-08-25
- 主分类号： C23C28/02
- IPC分类号： C23C28/02 ; H01L21/28 ; H01L21/288
摘要：
PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of forming nickel silicide which can reduce the number of processes for forming nickel silicide capable of being used for various purposes in the semiconductor and advanced packaging technology such as formation of gate electrodes, ohmic contacts, interconnection lines, Schottky barrier diode contacts, photovoltaics, solar cells and optoelectronic components. SOLUTION: The method of forming nickel silicide comprises: a step of depositing nickel onto a silicon-containing substrate; a step of depositing a protective layer onto the nickel; and a step of heating the combination up to a temperature sufficient for forming nickel silicide. The formation of the nickel silicide is performed in an oxygen-containing environment. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
公开/授权文献
- JP5631113B2 ケイ化ニッケルの向上した形成方法 公开/授权日：2014-11-26
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