摘要:
以下の式(式中、R
1 は負の電荷、水素を表すか又は好ましくはMe又はEt又はn価の遊離基であってよく、該基はn−1個以下の更なる2−オキソ−1,3−ジオキソラン−4−カルボキシル基で置換されてよい)による、2−オキソ−1,3−ジオキソラン−4−カルボン酸及びその誘導体、並びにその対応するエポキシドのカルボキシル化による製造方法、そのエステル交換方法並びにそのヒドロキシウレタンの製造のための及びアミンをブロックするための末端基としての使用が提案されている。
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