Invention Patent
- Patent Title: 半導体装置
- Patent Title (English): Semiconductor device
- Patent Title (中): 半导体器件
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Application No.: JP2013226712Application Date: 2013-10-31
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Publication No.: JP2015088653APublication Date: 2015-05-07
- Inventor: 高橋 卓也 , 大坪 義貴
- Applicant: 三菱電機株式会社
- Applicant Address: 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
- Assignee: 三菱電機株式会社
- Current Assignee: 三菱電機株式会社
- Current Assignee Address: 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
- Agent 高田 守; 高橋 英樹; 久野 淑己
- Main IPC: H01L25/07
- IPC: H01L25/07 ; H01L25/18 ; H01L23/08 ; H01L23/02
Abstract:
【課題】本発明は、絶縁基板が上に凸に反ることを抑制できる半導体装置を提供することを目的とする。 【解決手段】本願の発明に係る半導体装置は、絶縁基板12と、該絶縁基板の上面に固定された半導体素子22と、該半導体素子22を囲む包囲部30Aを有する、樹脂で形成されたケース30と、端部が該包囲部30Aに固定され、該絶縁基板12の上に位置する金属支持体40と、該絶縁基板12が上に凸に反らないように、該金属支持体40から下方に伸びる押さえ部30Cと、該絶縁基板12と該ケース30を接着する接着剤32と、を備えたことを特徴とする。 【選択図】図1
Public/Granted literature
- JP6480098B2 半導体装置 Public/Granted day:2019-03-06
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IPC分类:
