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发明专利
JP2015514691A ビスフェノールＡ骨格構造含有の分子性ガラスフォトレジスト及びその製造方法並びに応用 有权
双酚A骨架含有光致抗蚀剂结构的分子玻璃及其制造相同的方法，以及应用程序

  • 专利标题： ビスフェノールＡ骨格構造含有の分子性ガラスフォトレジスト及びその製造方法並びに応用
  • 专利标题（英）： Molecular glass of bisphenol a skeletal structure-containing photoresist and a method for manufacturing the same, and applications
  • 专利标题（中）： 双酚A骨架含有光致抗蚀剂结构的分子玻璃及其制造相同的方法，以及应用程序
  • 申请号： JP2014561253
    申请日： 2012-05-18
  • 公开(公告)号： JP2015514691A
    公开(公告)日： 2015-05-21
  • 发明人: 楊国強 , 許箭 , 陳力 , 王双青 , 李沙瑜
  • 申请人： 中国科学院化学研究所
  • 申请人地址： 中華人民共和国北京市海淀区中▲関▼村北一街2号
  • 专利权人： 中国科学院化学研究所
  • 当前专利权人： 中国科学院化学研究所
  • 当前专利权人地址： 中華人民共和国北京市海淀区中▲関▼村北一街2号
  • 代理商 特許業務法人HARAKENZO WORLD PATENT & TRADEMARK
  • 优先权： CN201210070735.2 2012-03-16
  • 国际申请： CN2012075707 JP 2012-05-18
  • 国际公布： WO2013134997 JP 2013-09-19
  • 主分类号： C07C43/205
  • IPC分类号： C07C43/205 ;  C07C37/055 ;  C07C39/15 ;  C07C39/17 ;  C07C41/30 ;  C07C43/20 ;  G03F7/004 ;  G03F7/038 ;  G03F7/039
ビスフェノールＡ骨格構造含有の分子性ガラスフォトレジスト及びその製造方法並びに応用
摘要：
本発明は、ビスフェノールAを本体構造とする分子性ガラスフォトレジスト(IとII)及びその製造に関わり、該分子性ガラスフォトレジストは、ポジ型又はネガ型フォトレジストになるように光酸発生剤、架橋剤、フォトレジスト溶剤及び他の添加剤とを複合配合して、ロータリ塗布方法によりシリコンチップにおいて、厚みが均一なフォトレジストコーティングを製造することができる。該フォトレジストの処方は、248nmフォトエッチング、193nmフォトエッチング、極端紫外線フォトエッチング、ナノコイニングフォトエッチング及び電子ビームフォトエッチングなどの現代フォトエッチング技術に用いられ、特に、極端紫外線(EUV)フォトエッチング生産技術に適用される。【化1】
摘要（中）：

本发明中，分子玻璃光致抗蚀剂（I和II），其双酚A车身结构和涉及它们的制备方法，分子玻璃光致抗蚀剂，正或负会光刻胶作为光酸产生剂 ，交联剂，光致抗蚀剂溶剂和一种复合掺合物的其它添加剂，用旋转涂敷法在硅芯片，它是可能厚度，以产生均匀的光致抗蚀剂涂层。 光致抗蚀剂的配方，248纳米光刻193纳米光刻，远紫外线光刻，在现代光刻技术中使用例如纳米压印光刻和电子束光刻，特别是，极紫外（EUV）光刻技术生产 它适用于。 [公式1]

摘要（英）：

The present invention provides molecular glass photoresists (I and II) that the bisphenol A body structure and relates to their preparation, molecular glass photoresists, positive or negative would photoresist as a photoacid generator , cross-linking agents, photo-resist solvent and to a composite blend other additives, in a silicon chip by a rotary coating method, it is possible thickness to produce a uniform photoresist coating. Prescription of the photoresist, 248nm photo-etching, 193nm photo-etching, extreme ultraviolet photo-etching, is used in modern photo-etching techniques, such as nano-coining photo-etching and electron beam photo-etching, in particular, extreme ultraviolet (EUV) photo-etching production technology It is applied to.
[Formula 1]

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