发明专利
- 专利标题: 記憶制御装置、記憶制御方法及びプログラム
- 专利标题(英): JP2018116526A - Storage control apparatus, storage control method and program
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申请号: JP2017007293申请日: 2017-01-19
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公开(公告)号: JP2018116526A公开(公告)日: 2018-07-26
- 发明人: 齊藤 貴樹 , 長谷川 揚平 , 尾西 翔平 , 松崎 秀則 , 浅野 滋博
- 申请人: 東芝メモリ株式会社
- 申请人地址: 東京都港区芝浦一丁目1番1号
- 专利权人: 東芝メモリ株式会社
- 当前专利权人: 東芝メモリ株式会社
- 当前专利权人地址: 東京都港区芝浦一丁目1番1号
- 代理商 特許業務法人酒井国際特許事務所
- 主分类号: G06F3/06
- IPC分类号: G06F3/06 ; G06F3/08 ; G06F11/10
摘要:
【課題】ストレージシステムの耐用年数をより長くする。 【解決手段】実施形態の記憶制御装置は、複数の記憶部のいずれかに含まれる記憶領域であるチャンクを1以上含むストライプを記憶の単位とする記憶制御装置であって、第1選択部と、分割部と、決定部とを備える。第1選択部は、複数のストライプから、ストライプに含まれる有効な第1データの数に基づいて、ストライプを選択する。分割部は、第1選択部により選択されたストライプに含まれるチャンクを、複数の部分チャンクに分割する。決定部は、部分チャンクに含まれる有効な第1データの数に基づいて、ガーベジコレクションの対象にする部分チャンクを決定する。 【選択図】図2
公开/授权文献
- JPWO2017146248A1 層構造を有するリチウム金属複合酸化物 公开/授权日:2018-08-30
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