公开(公告)号：JP6517549B2

公开(公告)日：2019-05-22

申请号：JP2015050896

申请日：2015-03-13

申请人： 東芝メモリ株式会社

发明人： 長谷川 揚平 ,  齊藤 貴樹 ,  浅野 滋博

IPC分类号： G06F12/02 ,  G06F12/00 ,  G06F3/08 ,  G06F13/10 ,  G06F3/06

公开(公告)号：JP6215439B2

公开(公告)日：2017-10-18

申请号：JP2016243742

申请日：2016-12-15

申请人： 東芝メモリ株式会社

发明人： 長谷川 揚平 ,  浅野 滋博 ,  原 徳正

IPC分类号： G06F12/16 ,  G11C29/00

公开(公告)号：JP2019164859A

公开(公告)日：2019-09-26

申请号：JP2018051605

申请日：2018-03-19

申请人： 東芝メモリ株式会社

发明人： 浅野 滋博 ,  ネイル バクストン ,  ジュリアン マーゲッツ ,  井川原 俊一 ,  天木 健彦

IPC分类号： G06F12/00 ,  G11C16/04 ,  G11C16/34

摘要： 【課題】メモリシステムにおいてリード・ディスターブによる信頼性低下現象を抑制する。 【解決手段】実施形態のメモリシステムは、データを記憶する複数のメモリセルを備える不揮発性のメモリと、メモリを制御するメモリコントローラと、を備える。複数のメモリセルについて複数のグループが設定されている。所定範囲内のいずれかの数がグループごとにリード回数の閾値として対応付けられている。メモリコントローラは、グループごとにリード回数を計数する計数部と、グループごとに、計数部によって計数されたリード回数が当該グループに対応付けられた閾値に達したか否かを判定する判定部と、判定部によって閾値に達したと判定されたグループがあった場合、当該グループに含まれる1以上のデータを読み出す読み出し部と、を備える。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2018073312A

公开(公告)日：2018-05-10

申请号：JP2016215831

申请日：2016-11-04

申请人： 東芝メモリ株式会社

发明人： 石山 政浩 ,  浅野 滋博

IPC分类号： G06F11/10

CPC分类号： G06F12/0246 ,  G06F1/3203 ,  G06F3/0611 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0688 ,  G06F11/1076 ,  G06F11/108 ,  G06F2212/1016 ,  G06F2212/262 ,  G06F2212/7201 ,  G06F2212/7207 ,  G06F2212/7208

摘要： 【課題】書き込み動作を実行中のダイへのリード要求の発生に対する耐性を改善することができるメモリシステムを実現する。 【解決手段】実施形態によれば、メモリシステムは、不揮発性メモリ内の第1領域に対応するデータ数およびパリティ数を示すkおよびmの組と、不揮発性メモリ内の第2領域に対応するデータ数およびパリティ数を示すk’およびm’の組とを管理する。前記メモリシステムは、第1領域に対する書き込み要求に基づいて、k個のデータ部とm個のパリティとを、k+m個の異なるダイから一つずつ選出されるk+m個の物理ブロックに書き込み、第2領域に対する書き込み要求に基づいて、k’個のデータ部とm’個のパリティとを、k’+m’個の異なるダイから一つずつ選出されるk’+m’個の物理ブロックに書き込む。 【選択図】図4

公开(公告)号：JP2018116526A

公开(公告)日：2018-07-26

申请号：JP2017007293

申请日：2017-01-19

申请人： 東芝メモリ株式会社

发明人： 齊藤 貴樹 ,  長谷川 揚平 ,  尾西 翔平 ,  松崎 秀則 ,  浅野 滋博

IPC分类号： G06F3/06 ,  G06F3/08 ,  G06F11/10

CPC分类号： G06F3/0616 ,  G06F3/0607 ,  G06F3/0608 ,  G06F3/0635 ,  G06F3/0652 ,  G06F3/0655 ,  G06F3/0688

摘要： 【課題】ストレージシステムの耐用年数をより長くする。 【解決手段】実施形態の記憶制御装置は、複数の記憶部のいずれかに含まれる記憶領域であるチャンクを1以上含むストライプを記憶の単位とする記憶制御装置であって、第1選択部と、分割部と、決定部とを備える。第1選択部は、複数のストライプから、ストライプに含まれる有効な第1データの数に基づいて、ストライプを選択する。分割部は、第1選択部により選択されたストライプに含まれるチャンクを、複数の部分チャンクに分割する。決定部は、部分チャンクに含まれる有効な第1データの数に基づいて、ガーベジコレクションの対象にする部分チャンクを決定する。 【選択図】図2

公开(公告)号：JP2018081627A

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：JP2016225179

申请日：2016-11-18

申请人： 東芝メモリ株式会社

发明人： 長谷川 揚平 ,  齊藤 貴樹 ,  尾西 翔平 ,  松崎 秀則 ,  浅野 滋博

IPC分类号： G06F3/08 ,  G06F12/00 ,  G06F11/10 ,  G06F3/06

CPC分类号： G06F16/1727 ,  G06F3/0604 ,  G06F3/0608 ,  G06F3/064 ,  G06F3/0688 ,  G06F12/0246 ,  G06F2212/7208

摘要： 【課題】アクセス速度の低下を抑制して、効率良く複数の記憶装置にアクセスする。 【解決手段】実施形態の記憶システムは、不揮発性の複数の記憶装置と、制御装置とを備える。複数の記憶装置のそれぞれは、複数のブロックに分割され、ブロックの単位でデータを消去する。制御装置は、設定部と、書込読出部とを有する。設定部は、複数の記憶装置のそれぞれについて、記憶領域を分割した複数の第1記憶領域を設定し、複数の記憶装置の全体について、複数の記憶装置の全体の記憶領域を分割した複数の第2記憶領域を設定する。書込読出部は、第2記憶領域の単位で、複数の記憶装置に記憶されたデータを管理する。設定部は、複数の記憶装置の少なくとも1つの記憶装置についての第1記憶領域が、1または複数のブロックの全体を含むように、それぞれの第1記憶領域を設定し、2以上の第1記憶領域を含むように、それぞれの第2記憶領域を設定する。 【選択図】図3