发明专利
- 专利标题： 半導体装置およびその製造方法
- 专利标题（英）： JP2018152492A - Semiconductor device and method for manufacturing the same
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申请号： JP2017048518申请日： 2017-03-14
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公开(公告)号： JP2018152492A公开(公告)日： 2018-09-27
- 发明人: 関根 重信
- 申请人： 有限会社 ナプラ
- 申请人地址： 東京都葛飾区東立石二丁目19番9号
- 专利权人： 有限会社 ナプラ
- 当前专利权人： 有限会社 ナプラ
- 当前专利权人地址： 東京都葛飾区東立石二丁目19番9号
- 代理商 野田 茂
- 主分类号： H01L23/31
- IPC分类号： H01L23/31 ; H01L21/56 ; H01L23/29
摘要：
【課題】ボンディングワイヤと封止樹脂との密着性を高め、両者間の剥離を防止するとともに、セカンドボンディングにおけるボンディングワイヤおよびリード端子間の接合強度が改善された半導体装置を提供する。 【解決手段】本発明の半導体装置101は、半導体チップ2と、半導体チップ2に設けられたボンディングパッド211と、半導体チップ2の周囲に配置された複数のリード端子50と、半導体チップ2と複数のリード端子50とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ6と、半導体チップ2およびボンディングワイヤ6を封止する封止樹脂11とを含み、ボンディングワイヤ6と封止樹脂11との界面には、絶縁性材料が介在し、絶縁性材料は、nmサイズの絶縁性微粒子と非晶質シリカを含有する。 【選択図】図1
公开/授权文献
- JP6258538B1 半導体装置およびその製造方法 公开/授权日：2018-01-10
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IPC分类:
