(式中、n01は1〜10の整数を示し、n01が2の場合、Wはスルフィニル基、スルホニル基、エーテル基、又は炭素数2〜50の2価の有機基を示し、n01が2以外の整数の場合、Wは炭素数2〜50のn01価の有機基を示す。また、Yは単結合又は炭素数1〜10の酸素原子を含んでもよい2価の連結基を示す。)
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JP2018173521A レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法 审中-公开

レジスト下層膜材料、パターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法
Abstract:
【課題】優れたアルカリ性過酸化水素水耐性、良好な埋め込み/平坦化特性、及びドライエッチング特性を有するレジスト下層膜材料、これを用いたパターン形成方法、及びレジスト下層膜形成方法を提供する。 【解決手段】多層レジスト法に用いられるレジスト下層膜材料であって、(A1)下記一般式(X)で示される化合物の一種又は二種以上、及び(B)有機溶剤を含有するレジスト下層膜材料。 (式中、n 01 は1〜10の整数を示し、n 01 が2の場合、Wはスルフィニル基、スルホニル基、エーテル基、又は炭素数2〜50の2価の有機基を示し、n 01 が2以外の整数の場合、Wは炭素数2〜50のn 01 価の有機基を示す。また、Yは単結合又は炭素数1〜10の酸素原子を含んでもよい2価の連結基を示す。) 【選択図】なし
Abstract(English):

A good alkaline hydrogen peroxide resistance, provides good embedding / planarization characteristics, and a resist underlayer film material having dry etch characteristics, a pattern forming method using the same, and a resist underlayer film forming method. SOLUTION: The resist underlayer film material used in the multilayer resist method, (A1) represented by the following general formula (X) with a compound of one or more kinds represented, and (B) a resist underlayer film containing an organic solvent material. (Wherein, n01 represents an integer of 1 to 10, when n01 is 2, W represents a sulfinyl group, a sulfonyl group, an ether group, or a divalent organic group having 2 to 50 carbon atoms, except n01 is 2 for integer, W is shows the n01 monovalent organic group having 2 to 50 carbon atoms. Further, Y represents a linking group which may divalent comprise single bond or an oxygen atom having 1 to 10 carbon atoms.) [ select view] None

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