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发明专利
JP2018186600A 半導体装置 审中-公开

  • 专利标题： 半導体装置
  • 专利标题（英）： JP2018186600A - Semiconductor device
  • 申请号： JP2017085648
    申请日： 2017-04-24
  • 公开(公告)号： JP2018186600A
    公开(公告)日： 2018-11-22
  • 发明人: 白石 卓也
  • 申请人： 三菱電機株式会社
  • 申请人地址： 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
  • 专利权人： 三菱電機株式会社
  • 当前专利权人： 三菱電機株式会社
  • 当前专利权人地址： 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
  • 代理商 高田 守; 高橋 英樹; 久野 淑己
  • 主分类号： H02M7/48
  • IPC分类号： H02M7/48
半導体装置
摘要：
【課題】短絡電流検出の精度を改善することができる半導体装置を得る。 【解決手段】トランジスタ2はメイン端子8とセンス端子9を有する。N相出力電極4がメイン端子8と第1のワイヤ10,11で接続されている。センス出力電極6がセンス端子9と第2のワイヤ12で接続されている。パッケージ1がトランジスタ2、第1及び第2のワイヤ10,11,12、N相出力電極4の一部、及びセンス出力電極6の一部を封止する。メイン端子8からN相出力電極4までの配線インダクタンスは、センス端子9からセンス出力電極6までの配線インダクタンスよりも大きい。 【選択図】図2
摘要（英）：

A obtain the semiconductor device which can improve the accuracy of the short-circuit current detection.
A transistor 2 has a main terminal 8 and the sense terminal 9. N-phase output electrode 4 is connected to the main terminal 8 in the first wire 10, 11. Sense output electrodes 6 are connected to the sense terminal 9 and the second wire 12. Package 1 transistor 2, the first and second wires 10, 11, 12, a portion of the N-phase output electrode 4, and to seal a portion of the sense output electrode 6. Wiring inductance from the main terminal 8 to N-phase output electrode 4 is greater than the wiring inductance from the sense terminal 9 to the sense output electrode 6.
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