发明专利
- 专利标题: 半導体装置および半導体装置の製造方法
- 专利标题(英): JP2018191011A - The method of manufacturing a semiconductor device and a semiconductor device
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申请号: JP2018166209申请日: 2018-09-05
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公开(公告)号: JP2018191011A公开(公告)日: 2018-11-29
- 发明人: 木村 明寛 , 須永 武史 , 安永 尚司 , 古賀 明宏
- 申请人: ローム株式会社
- 申请人地址: 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地
- 专利权人: ローム株式会社
- 当前专利权人: ローム株式会社
- 当前专利权人地址: 京都府京都市右京区西院溝崎町21番地
- 代理商 吉田 稔; 臼井 尚
- 优先权: JP2011082405 2011-04-04 JP2011082560 2011-04-04 JP2011104349 2011-05-09 JP2011105511 2011-05-10 JP2011105512 2011-05-10 JP2011105513 2011-05-10
- 主分类号: H01L25/07
- IPC分类号: H01L25/07 ; H01L25/18 ; H01L25/065
摘要:
【課題】 平面視において小型化を図ることができる半導体装置を提供すること。 【解決手段】 本開示の半導体装置は、第1面と、前記第1面と反対側を向く第2面と、を有する第1の電極と、前記第1の電極の前記第1面上に形成された第1のMOSチップと、前記第1の電極の前記第2面上に形成された前記第1のMOSチップの動作を制御する制御ICと、前記第1のMOSチップと、前記制御ICと、前記第1の電極の少なくとも一部と、を覆い、且つ前記第1の電極の前記一部とは異なる他の部分を露出させる樹脂と、を有する。 【選択図】 図56
公开/授权文献
- JP6652607B2 半導体装置および半導体装置の製造方法 公开/授权日:2020-02-26
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IPC分类: