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发明专利
JP2018528619A ゲルマニウム含有半導体デバイスおよび形成方法 审中-公开

ゲルマニウム含有半導体デバイスおよび形成方法
摘要：
ゲルマニウム含有半導体デバイスおよびゲルマニウム含有半導体デバイスを形成するための方法が記載される。前記方法には、ゲルマニウム含有基板を提供すること、ゲルマニウム含有基板上でアルミニウム含有拡散バリア層を堆積すること、アルミニウム含有拡散バリア層上で高k層を堆積すること、および高k層を原子状酸素に曝露して、ゲルマニウム含有基板が酸化されるのを回避しながら、高k層の酸化膜換算膜厚(EOT)を減少させること、が含まれる。ゲルマニウム含有半導体デバイスは、ゲルマニウム含有基板、ゲルマニウム含有基板上のアルミニウム含有拡散バリア層、およびアルミニウム含有拡散バリア層上の高k層であって、前記高k層は、原子状酸素に曝露されていて、ゲルマニウム含有基板が酸化されるのを回避しながら、高k層のEOTを減少させる、高k層、を含む。
摘要（英）：

The method for forming a germanium-containing semiconductor devices and germanium containing semiconductor devices are described. The method includes providing a germanium-containing substrate, depositing an aluminum-containing diffusion barrier layer containing germanium on a substrate, depositing a high-k layer of aluminum-containing diffusion barrier layer, and high-k layer atomic by exposure to oxygen, while avoiding the germanium-containing substrate is oxidized, reducing the equivalent oxide thickness of the high-k layer (EOT), it is included. Germanium-containing semiconductor devices are germanium-containing substrate, an aluminum-containing diffusion barrier layer on the germanium-containing substrate, and a high-k layer on the aluminum containing diffusion barrier layer, the high-k layer, have been exposed to atomic oxygen , including while avoiding the germanium-containing substrate is oxidized, reducing the EOT of the high-k layer, a high k layer.

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