• 专利标题: 半導体粒子及びその製造方法
  • 申请号: JP2017139472
    申请日: 2017-06-28
  • 公开(公告)号: JP2019006659A
    公开(公告)日: 2019-01-17
  • 发明人: 夫 恒範
  • 申请人: 夫 恒範
  • 申请人地址: 大阪府東大阪市菱屋西2丁目3番14号
  • 专利权人: 夫 恒範
  • 当前专利权人: 夫 恒範
  • 当前专利权人地址: 大阪府東大阪市菱屋西2丁目3番14号
  • 主分类号: B82Y30/00
  • IPC分类号: B82Y30/00 B82Y40/00 H01L31/0749 C01G15/00
半導体粒子及びその製造方法
摘要:
【課題】組成が均一であり且つ安価に製造することが可能な、半導体粒子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】銅イオン源と、インジウムイオン源と、イオン同士の結合反応を抑制する配位子と、水とを混合して、カチオン混合液を作製するカチオン混合液作製工程と、作製したカチオン混合液と、硫黄イオン源とを混合して、前駆体溶液を作製する前駆体溶液作製工程と、作製した前駆体溶液を容器に入れ、前駆体溶液が収容された容器を密閉する密閉工程と、密閉された容器内で水熱合成反応を生じさせる水熱合成反応工程と、を有する半導体粒子の製造方法とし、X線回折で単一相のピークが観察され、且つ、一次粒子の粒径が100nm以下である、Cu、In、及び、Sを含有する半導体粒子とする。 【選択図】図2
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