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公开(公告)号：JP2022501825A
公开(公告)日：2022-01-06
申请号：JP2021515617
申请日：2019-09-17
发明人： ミヒャエル アルガジンガー , トーマス ダリボール , イェルク パルム
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0749
摘要： 以下の方法を含む、入射光を電流に光電変換するための吸収体層を後処理するための方法:担体上にカルコゲン含有吸収体層を提供すること、吸収体層の表面に後処理層を適用すること、ここで、後処理層は、金属カルコゲニド、金属カルコゲニドの酸素化合物、及び水素からなる群から選択される少なくとも1つの後処理材料を含み、ここで、少なくとも1つの後処理材料は、バッファ又はバッファの成分ではなく、少なくとも1つの後処理材料を吸収体層に熱拡散させこと。薄膜太陽電池の製造のための層系を製造するための方法。
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公开(公告)号：JP2021048161A
公开(公告)日：2021-03-25
申请号：JP2019168199
申请日：2019-09-17
申请人： 日本放送協会
IPC分类号： H01L21/363 , C23C14/50 , C23C14/06 , H01L31/0749 , H01L21/683
摘要： 【課題】面内均一性に優れた光電変換膜等の膜の作製が可能な基板ホルダ及び該基板ホルダを備える成膜装置を提供すること。 【解決手段】基板を加熱して基板の表面に膜を形成する成膜装置用の基板ホルダであって、基板が収容配置される貫通穴部を有する平板状のホルダ本体と、貫通穴部の外周に固定配置された固定部と、貫通穴部に収容配置された基板の外周部の表面の少なくとも一部を覆うように突出する蓋部と、を有するカバーと、を備え、貫通穴部は、内壁面から突出して基板の外周部の裏面側から基板を支持する支持部を有し、カバーは、貫通穴部に収容配置された基板に接触しない、基板ホルダである。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP6760984B2
公开(公告)日：2020-09-23
申请号：JP2018028358
申请日：2018-02-21
申请人： ナノコ テクノロジーズ リミテッド
发明人： グレスティ,ナタリー , マサラ,オンブレッタ , ニューマン,クリストファー , ホワイトレッグ,ステファン , ピケット,ナイジェル
IPC分类号： H01L21/368 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B19/04 , C01B19/00 , H01L31/0749
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公开(公告)号：JP6704027B2
公开(公告)日：2020-06-03
申请号：JP2018198891
申请日：2018-10-23
申请人： ナノコ テクノロジーズ リミテッド
发明人： ニューマン,クリストパー
IPC分类号： H01L31/18 , C01B19/04 , C01G15/00 , H01L31/0749
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公开(公告)号：JP2019112670A
公开(公告)日：2019-07-11
申请号：JP2017246339
申请日：2017-12-22
申请人： 三菱マテリアル株式会社
摘要： 【課題】NaとKとを含み、大気中で保管しても変色が抑えられ、安定してスパッタ成膜することが可能なCu−Ga合金スパッタリングターゲット、及び、このCu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 【解決手段】金属成分として、Gaを20原子%以上45原子%以下の範囲で含有し、さらにK及びNaを合計で0.1原子%以上2原子%以下の範囲で含有し、残部がCuおよび不可避不純物からなる組成を有し、Cu−Ga合金の母相中に、NaとKとFを含む複合フッ化物が分散しており、前記複合フッ化物の内接円の最大直径が30μm以下であり、前記複合フッ化物におけるNaの原子比を[Na]、Kの原子比を[K]とした場合において、[Na]/([Na]+[K])が0.3以上0.9以下の範囲内とされている。 【選択図】なし
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公开(公告)号：JP2019006659A
公开(公告)日：2019-01-17
申请号：JP2017139472
申请日：2017-06-28
申请人： 夫 恒範
发明人： 夫 恒範
IPC分类号： B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/0749 , C01G15/00
摘要： 【課題】組成が均一であり且つ安価に製造することが可能な、半導体粒子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】銅イオン源と、インジウムイオン源と、イオン同士の結合反応を抑制する配位子と、水とを混合して、カチオン混合液を作製するカチオン混合液作製工程と、作製したカチオン混合液と、硫黄イオン源とを混合して、前駆体溶液を作製する前駆体溶液作製工程と、作製した前駆体溶液を容器に入れ、前駆体溶液が収容された容器を密閉する密閉工程と、密閉された容器内で水熱合成反応を生じさせる水熱合成反応工程と、を有する半導体粒子の製造方法とし、X線回折で単一相のピークが観察され、且つ、一次粒子の粒径が100nm以下である、Cu、In、及び、Sを含有する半導体粒子とする。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP2018160657A
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：JP2017175595
申请日：2017-09-13
申请人： 株式会社東芝
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/078 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02E10/50
摘要： 【課題】 実施形態は、変換効率を向上させた太陽電池、多接合型太陽電池、太陽電池モジュール及び太陽光発電システムを提供する。 【解決手段】 実施形態の太陽電池は、高抵抗な酸化物層と、ライン状の導電性部材又はメッシュ状の導電性部材を有する第1電極と、第2電極と、高抵抗な酸化物層と第2の電極の間に光吸収層3を有し、第1電極は、高抵抗な酸化物層と光吸収層3の間に存在する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2018110242A
公开(公告)日：2018-07-12
申请号：JP2018017038
申请日：2018-02-02
申请人： ナノコ テクノロジーズ リミテッド
发明人： ホワイトレッグ,ステファン
IPC分类号： H01L31/0749
CPC分类号： H01L21/02568 , H01L21/02474 , H01L21/02477 , H01L21/02485 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/0749 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： 【課題】CIGS薄膜太陽電池の製造方法において、コストの低い製造方法を提供する。 【解決手段】PVデバイス100は、支持体101、基板層102(典型的にはモリブデン)と、CIGS吸収層103と、硫化カドミウム層104と、アルミニウム亜鉛酸化物層105と、アルミニウム接触層106を含む。CIGS吸収層は、実験式AB 1−x B’ x C 2−y C’ y で表される半導体材料から作られ、Aは、Cu、Zn、Ag又はCdであり、B及びB’は、独立してAl、In又はGaであり、C及びC’は独立してS又はSeであり、0≦x≦1及び0≦y≦2である。半導体材料の結晶粒の粒子サイズと組成は両方とも、層を横断する深さの関数として変動する。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6328018B2
公开(公告)日：2018-05-23
申请号：JP2014191890
申请日：2014-09-19
申请人： 株式会社東芝
IPC分类号： H01L31/0749 , H01L31/068 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/022425 , H01L31/02167 , H01L31/022475 , H01L31/0322 , H01L31/0749 , Y02E10/541
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公开(公告)号：JP6316920B1
公开(公告)日：2018-04-25
申请号：JP2016237358
申请日：2016-12-07
申请人： 國家中山科學研究院
IPC分类号： C01B19/00 , C03C17/22 , H01L31/18 , H01L31/0749
CPC分类号： Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： 【課題】ガラス基板之セレン化及び硫化工程に用いる設備を提供することを課題とする。 【解決手段】本発明は、ガラス基板のセレン化及び硫化工程に用いる設備に関し、特に、常圧の環境下において大面積ガラス基板のセレン化及び硫化工程に用いることのできる低コスト、毒性のない設備に関する。本発明のガラス基板のセレン化及び硫化工程に用いる設備は、高温を用いてセレン又は硫黄を高活性の小分子に熱分解でき、或いはプラズマ、特に線形大気圧プラズマの方法により、高活性のセレン又は硫黄分子を得ると共に均一方法で該セレン又は硫黄分子を分散し、並びに精密的に該ガラス基板を往復運動させることで、1枚式ガラス基板に大面積の均一なセレン化及び硫化を得させる。 【選択図】図11
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