【課題】差動増幅回路の動作を高速化できる半導体装置及びメモリシステムを提供する。 【解決手段】半導体装置1において、差動増幅回路10を、トランジスタTr1とトランジスタTr2のゲート及びドレインがクロスカップル接続された負荷回路12と、トランジスタTr6及びTr7から構成されるアシスト回路AS1とを組み合わせることにより、ダイオード接続されたトランジスタを用いる必要がなくなるため、内部ノードN1の信号振幅を適切化でき、差動増幅回路10のゲインを増加できるので、差動増幅回路10の動作を高速化できる。 【選択図】図1