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Invention Patent
JP2021158622A 電力増幅回路 审中-公开

電力増幅回路
Abstract:
【課題】 反射波の影響を受けず、負荷変動時にパワーゲインを抑制することのできる電力増幅回路を提供する。 【解決手段】 供給される第1RF信号を増幅して第2RF信号を出力する第1増幅器と、供給される前記第2RF信号を増幅して第3RF信号を出力する第2増幅器と、前記第1増幅器または前記第2増幅器にバイアス電流または電圧を供給するバイアス回路と、前記第1RF信号、前記第2RF信号、または前記第3RF信号に基づいて、前記バイアス電流または電圧を調整するバイアス調整回路と、を備え、前記バイアス調整回路は、アノードに前記第1RF信号、前記第2RF信号、または前記第3RF信号のいずれかに基づく信号を示す制御信号が入力され、カソードが接地に接続される第1ダイオードを含み、前記バイアス回路は、前記第1ダイオードの前記アノードの電圧に基づいて前記バイアス電流または電圧を出力するバイアストランジスタを含む。 【選択図】図2
Abstract(English):

To provide a power amplification circuit that can suppress power gain at the variation in load without the influence from a reflection wave.SOLUTION: A power amplification circuit includes: a first amplifier that amplifies a supplied first RF signal, and outputs a second RF signal; a second amplifier that amplifies the supplied second RF signal, and outputs a third RF signal; a bias circuit that supplies bias current or voltage to the first amplifier or the second amplifier; and a bias adjustment circuit that adjusts the bias current or voltage on the basis of the first RF signal, the second RF signal, or the third RF signal. The bias adjustment circuit includes a first diode which has an anode receiving the input of a control signal expressing the signal based on any of the first RF signal, the second RF signal, and the third RF signal and a cathode being grounded. The bias circuit includes a bias transistor that outputs the bias current or voltage on the basis of the voltage of the anode of the first diode.SELECTED DRAWING: Figure 2

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