コイル部品
    1.
    发明专利
    コイル部品 审中-公开

    公开(公告)号:JP2022002348A

    公开(公告)日:2022-01-06

    申请号:JP2021169339

    申请日:2021-10-15

    Abstract: 【課題】プリント基板にはんだ付けされた状態で付与されるヒートサイクルによっても、金属端子とドラム状コアとの接着部分の剥がれを生じにくくし得る、コイル部品を提供する。 【解決手段】金属端子16の立上がり部23とドラム状コア2の鍔部6の外側端面12bとの双方に接する状態で接着剤層26が形成される。接着剤層16は、その厚みが互いに異なる肉厚部分26aと肉薄部分26bとを有する。立上がり部23の先端側に第1凹部33が設けられ、立上がり部23の底面8側に第2凹部34が設けられ、第1凹部33および第2凹部34において、それぞれ、上記肉厚部分261aが形成され、第1凹部33と第2凹部34とに挟まれた部分で上記肉薄部分26bが形成される。ヒートサイクルによって接着剤層26に及ぼされる応力を肉厚部分261aにおいて厚み方向に分散し、肉薄部分26bは、接着強度の向上を図るように作用する。 【選択図】図9

    表面実装型受動部品
    2.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2022002260A

    公开(公告)日:2022-01-06

    申请号:JP2020106718

    申请日:2020-06-22

    Abstract: 【課題】受動素子を回路基板に実装する際の難易度が高くなることを抑制できるようにすること。 【解決手段】表面実装型受動部品10は、受動素子20と、受動素子20が搭載されているサイズ変換部40とを備える。サイズ変換部40は、素体41と、素体41の素子実装面42に露出し、受動素子20の素子用外部端子30とは電気的に接続されている複数の第1外部端子44と、素体41の基板側実装面43に露出している複数の第2外部端子45と、第1外部端子44と第2外部端子45とを電気的に接続する接続配線48とを有する。基板側実装面43の面積は受動素子20の第1主面23の面積よりも大きい。基板側実装面43における各第2外部端子45の総面積は、第1主面23における各素子用外部端子30の総面積よりも大きい。 【選択図】図4

    周囲検出を備えたジャイロスコープ

    公开(公告)号:JP2022000627A

    公开(公告)日:2022-01-04

    申请号:JP2021075412

    申请日:2021-04-27

    Abstract: 【課題】単純であるがロバストなジャイロスコープ構造体を提供する。 【解決手段】休止位置において、対称に配置される4つのコリオリマス411、413他を含むコリオリマスカルテットを備える。第1コリオリマス411および第2コリオリマスは、横軸491上に並び、第3コリオリマス413および第4コリオリマスは、休止位置において縦軸492上に並ぶ。ジャイロスコープは、さらに、長尺マス要素の第1対4211、4212と、第2対と、第3対と、第4対とを備える。第1対4211、4212をなす長尺マス要素は、第1コリオリマス411の外側で横軸491の両側に縦方向に並ぶ。第2対をなす長尺マス要素は、第2コリオリマスの外側で横軸の両側に縦方向に並ぶ。第3対をなす長尺マス要素は、第3コリオリマスの外側で第1縦軸の両側に横方向に並ぶ。第4対をなす長尺マス要素は、第4コリオリマスの外側で第1縦軸の両側に横方向に並ぶ。 【選択図】図4a

    半導体装置
    4.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号:JP2021197474A

    公开(公告)日:2021-12-27

    申请号:JP2020103786

    申请日:2020-06-16

    Abstract: 【課題】応力による信頼性の低下を抑制し、かつ放熱性の低下を抑制することが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】基板の上に、少なくとも1段の段差を持つメサ部が形成されている。メサ部の上に、有機絶縁材料からなる有機層を含み、開口が設けられている絶縁膜が配置されている。絶縁膜の上に、絶縁膜に設けられた開口を通ってメサ部のトランジスタに電気的に接続された導体膜が配置されている。有機層に設けられている開口は、平面視においてメサ部を包含しており、第1方向に延びる側面を持つ。平面視において、メサ部から有機層の開口の両側の側面までの、第1方向と直交する第2方向の距離のうち短い方を第1距離と定義し、メサ部から有機層の開口の両側の側面までの第1方向の距離のうち短い方を第2距離と定義する。メサ部の1段目の高さを第1高さと定義する。第1距離及び第2距離の少なくとも一方が第1高さ以上である。 【選択図】図2

    積層セラミックコンデンサ
    5.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2021197458A

    公开(公告)日:2021-12-27

    申请号:JP2020103144

    申请日:2020-06-15

    Abstract: 【課題】、内部電極層の端部における電界集中を緩和し、絶縁破壊電圧を向上させることが可能な積層セラミックコンデンサを提供すること。 【解決手段】積層セラミックコンデンサ1であって、積層体100は、第1の内部電極層30Aと、第2の内部電極層40Aと、浮き電極層60とを含み、浮き電極層60は、第2の内部電極層40Aの第2の対向部の第1の端面LS1側の端部近傍に配置される第1の端部と、第1の内部電極層30Aの第1の対向部の第2の端面LS2側の端部近傍に配置される第2の端部と、第1の端部と第2の端部を連結する連結部とを有し、連結部の最も第1の側面WS1側に位置する部分と最も第2の側面WS2側に位置する部分とを結ぶ幅方向Wの長さD1は、第1の端部の幅方向Wの長さD2および第2の端部の幅方向Wの長さD2よりも短い。 【選択図】図2C

    共振装置及び共振装置製造方法
    6.
    发明专利

    公开(公告)号:JPWO2020194810A1

    公开(公告)日:2021-12-23

    申请号:JP2019040421

    申请日:2019-10-15

    Abstract: 共振子の振動空間における真空度の低下を抑制することのできる共振装置及び共振装置製造方法を提供する。共振装置1は、共振子10を含むMEMS基板50と、MEMS基板50に対向する面に酸化ケイ素膜L31を含む上蓋30と、共振子10の振動空間を封止するように、MEMS基板50と上蓋30とを接合する接合部60と、を備え、酸化ケイ素膜L31は、上蓋30を平面視したときに振動空間の周囲の少なくとも一部に形成され、上蓋30の裏面まで貫通する貫通孔TH1を含み、貫通孔TH1は、第1金属層80を含む。

    弾性波装置
    8.
    发明专利
    弾性波装置 审中-公开

    公开(公告)号:JPWO2020209189A1

    公开(公告)日:2021-12-16

    申请号:JP2020015282

    申请日:2020-04-03

    Inventor: 大門 克也

    Abstract: 高次モードを効果的に抑制することができる、弾性波装置を提供する。 本発明の弾性波装置1は、シリコン基板である支持基板4と、支持基板上4に設けられている窒化ケイ素膜5と、窒化ケイ素膜5上に設けられている酸化ケイ素膜6と、酸化ケイ素膜6上に設けられており、YカットX伝搬のタンタル酸リチウムを用いた圧電体層7と、圧電体層7上に設けられており、複数の電極指を有するIDT電極3とを備える。IDT電極3の電極指ピッチにより規定される波長をλとしたときに圧電体層7の膜厚が1λ以下であり、圧電体層7のオイラー角が(0±5°の範囲内,θ,0±5°の範囲内)または(0±5°の範囲内,θ,180±5°の範囲内)であり、圧電体層7のオイラー角におけるθが互いに等価な95.5°≦θ

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