发明专利
JP2021176665A 平面研削方法
审中-公开
- 专利标题: 平面研削方法
- 专利标题(英): SURFACE GRINDING METHOD
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申请号: JP2020082459申请日: 2020-05-08
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公开(公告)号: JP2021176665A公开(公告)日: 2021-11-11
- 发明人: 五十嵐 健作
- 申请人: 信越半導体株式会社
- 申请人地址: 東京都千代田区大手町二丁目2番1号
- 专利权人: 信越半導体株式会社
- 当前专利权人: 信越半導体株式会社
- 当前专利权人地址: 東京都千代田区大手町二丁目2番1号
- 代理商 好宮 幹夫; 小林 俊弘
- 主分类号: B24B1/00
- IPC分类号: B24B1/00 ; H01L21/304 ; B24B7/00
摘要:
【課題】ウェーハの割れ及びエッジ部での樹脂の残留を防止しながらウェーハの両面研削を行うことができるウェーハの平面研削方法を提供すること。 【解決手段】第一主面及び第一主面とは反対側の第二主面を有し、且つ第一主面と第二主面との間に位置するエッジ部を含むウェーハを準備し、ウェーハの第二主面の一部及びエッジ部に離型剤を塗布して、離型剤層を形成し、離型剤層上に第二主面及びエッジ部全面を覆う樹脂層を形成し、樹脂層上にベース部材を配置して、ウェーハ複合体を得ることと、ベース部材の位置でウェーハ複合体を支持固定した状態で、ウェーハの第一主面を研削し、ウェーハ複合体からベース部材を除去し、第一主面の位置でウェーハを支持固定した状態で、ウェーハの第二主面を研削し、ウェーハを洗浄して、ウェーハのエッジ部に残留した離型剤層及び樹脂層を除去するウェーハの平面研削方法。 【選択図】図1
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