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公开(公告)号：JP2021176665A
公开(公告)日：2021-11-11
申请号：JP2020082459
申请日：2020-05-08
申请人： 信越半導体株式会社
发明人： 五十嵐 健作
IPC分类号： B24B1/00 , H01L21/304 , B24B7/00
摘要： 【課題】ウェーハの割れ及びエッジ部での樹脂の残留を防止しながらウェーハの両面研削を行うことができるウェーハの平面研削方法を提供すること。 【解決手段】第一主面及び第一主面とは反対側の第二主面を有し、且つ第一主面と第二主面との間に位置するエッジ部を含むウェーハを準備し、ウェーハの第二主面の一部及びエッジ部に離型剤を塗布して、離型剤層を形成し、離型剤層上に第二主面及びエッジ部全面を覆う樹脂層を形成し、樹脂層上にベース部材を配置して、ウェーハ複合体を得ることと、ベース部材の位置でウェーハ複合体を支持固定した状態で、ウェーハの第一主面を研削し、ウェーハ複合体からベース部材を除去し、第一主面の位置でウェーハを支持固定した状態で、ウェーハの第二主面を研削し、ウェーハを洗浄して、ウェーハのエッジ部に残留した離型剤層及び樹脂層を除去するウェーハの平面研削方法。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6928328B2
公开(公告)日：2021-09-01
申请号：JP2018500128
申请日：2017-02-14
申请人： 国立大学法人 熊本大学
发明人： 久保田 章亀
IPC分类号： B24B1/00 , H01L21/304
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公开(公告)号：JP2021111675A
公开(公告)日：2021-08-02
申请号：JP2020001773
申请日：2020-01-09
申请人： ハイソル株式会社
IPC分类号： B24B1/00 , H01L21/304
摘要： 【課題】半導体チップ又はウェハを支持基板に平行状態で貼り合わせる。 【解決手段】第1永久磁石からなる支持基板20と半導体チップ10とをワックス31で貼り付けて、第1貼付物102を作成する第1工程と、第1貼付物102と第2永久磁石25とを吸着させた吸着物40を作成する第2工程と、吸着物40をワックス31の融点以上に加熱する第3工程SP4と、第3工程SP4で加熱された吸着物40を冷却する第4工程SP5と、第4工程SP5で冷却された吸着物40から第2永久磁石25を引き離し、半導体チップ10と支持基板20とが貼り合わされた第2貼付物100を作成する第5工程SP6とを備える。 【選択図】図2
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公开(公告)号：KR102239633B1
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：KR1020200040309A
申请日：2020-04-02
申请人： 주식회사 에이앤피티
摘要： 본 발명은 동 재질 시편 세척기에 대한 것이다. 상기 동 재질 시편 세척기가 동(copper) 재질로 이루어진 시편의 표면을 세척하기 위한 것으로서, 본체 부재와, 수용 부재와, 위치 고정 부재와, 자기장 발생 부재와, 회전 부재 및 제어 부재를 포함함에 따라, 동 재질의 상기 시편을 자동으로 세척하여 세척 작업 시간을 줄임으로써 작업 효율을 높일 수 있음은 물론, 시편의 세척 정도를 균일하게 수행할 수 있게 되는 장점이 있다.
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公开(公告)号：JP6844733B1
公开(公告)日：2021-03-17
申请号：JP2020088949
申请日：2020-05-21
申请人： 信越半導体株式会社
IPC分类号： B24B1/00 , B24B7/04 , B24B37/005 , H01L21/304
摘要： 【課題】反りを有し且つナノトポグラフィが良好な基板ウェーハを製造できる基板ウェーハの製造方法を提供すること。 【解決手段】第一主面及び第二主面を有するウェーハを準備すること、第二主面上に平坦化樹脂層を形成すること、平坦化樹脂層を基準面として吸着保持した状態で、第一加工として第一主面を研削又は研磨すること、ウェーハから平坦化樹脂層を除去すること、第一加工した第一主面を吸着保持した状態で、第二加工として第二主面を研削又は研磨すること、第二加工した第二主面を吸着保持した状態で、第三加工として第一主面を更に研削又は研磨すること、及び第三加工した第一主面を吸着保持した状態で、第四加工として第二主面を更に研削又は研磨して、基板ウェーハを得ることを含み、第一加工及び/又は第三加工においてウェーハが中凹状又は中凸状の厚み分布を持つように加工を行う基板ウェーハの製造方法。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2021005621A
公开(公告)日：2021-01-14
申请号：JP2019118570
申请日：2019-06-26
申请人： 株式会社ディスコ
发明人： 川合 章仁
IPC分类号： B24B7/04 , B24B37/02 , B24B1/00 , H01L21/304
摘要： 【課題】薄化部の厚みを一層薄くしてもウエーハの搬送中におけるウエーハの破損を防止することができるウエーハの加工方法を提供する。 【解決手段】ウエーハの加工方法は、回転可能なチャックテーブル16にウエーハ2を保持する保持工程と、環状に配設された研削砥石32を備えた研削ホイール30を回転させ、研削砥石32がウエーハ2の回転中心を通過すると共にウエーハ2の外周よりも内側に研削砥石32の外側を位置づけてウエーハ2を研削し、ウエーハ2に薄化部34を形成すると共に薄化部34の外周にリング状の補強部36を形成する研削工程と、少なくとも薄化部34と補強部36との境目に残存する加工歪38を除去する加工歪除去工程とを含む。 【選択図】図6
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公开(公告)号：JP2021002606A
公开(公告)日：2021-01-07
申请号：JP2019116109
申请日：2019-06-24
申请人： 株式会社ディスコ
IPC分类号： B24B37/10 , B24B1/00 , H01L21/304
摘要： 【課題】工程数及びコストの増大を抑制しつつ、ウェーハを高品質に再生させることが可能なウェーハの再生方法を提供する。 【解決手段】第1面及び第2面を備え、第1面側に珪素化合物でなる膜が形成されたウェーハの再生方法であって、研磨装置のチャックテーブルによって、ウェーハを、第1面側が露出し第2面側がチャックテーブルの保持面と対向するように保持する保持工程と、ウェーハの第1面側に酸性研磨液を供給しながら、ウェーハの第1面側を研磨装置に装着された研磨パッドで研磨して、珪素化合物でなる膜を除去する除去工程と、ウェーハの第1面側にアルカリ性研磨液を供給しながら、珪素化合物でなる膜が除去されたウェーハの第1面側を研磨パッドで研磨する研磨工程と、を備える。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2020181987A
公开(公告)日：2020-11-05
申请号：JP2020114006
申请日：2020-07-01
申请人： 株式会社東京精密
IPC分类号： H01L21/304 , B24B1/00 , B24B7/00 , B24B55/02 , B23K26/53 , H01L21/301
摘要： 【課題】ウェハの割断を良好に行えるようにする。 【解決手段】内部にレーザ改質領域が形成されたウェハの裏面を研削する研削装置であって、レーザ改質領域から亀裂を進展させるために研削の途中に給水の中断期間を設け、ウェハの裏面温度が70℃以上となるように研削を行う研削手段を備える。 【選択図】図19
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公开(公告)号：JP2020170578A
公开(公告)日：2020-10-15
申请号：JP2019072237
申请日：2019-04-04
申请人： 山口精研工業株式会社
发明人： 岩田 徹
摘要： 【課題】多段研磨方式における粗研磨工程後の基板表面のうねり、シャローピット、ロールオフの低減する磁気ディスク基板の研磨工程を提供する。 【解決手段】下記(1)〜(3)の工程を同一研磨機で行う研磨方法である。 (1)平均一次粒子径10〜150nmのコロイダルシリカAと、平均粒子径200〜500nmの粉砕された湿式法シリカ粒子と、水溶性高分子化合物と、水を含有し、全シリカ粒子に占めるコロイダルシリカAの割合が20〜80質量%、粉砕された湿式法シリカ粒子の割合が20〜80質量%であり、コロイダルシリカAに対する粉砕された湿式法シリカ粒子の径の比の値が2.0〜15.0であり、全シリカ粒子の濃度が2〜40質量%である研磨剤組成物Aで、前段の研磨を行う工程、 (2)リンス処理する工程、 (3)コロイダルシリカBおよび水を含有する研磨剤組成物Bで、後段の研磨を行う工程。 【選択図】なし
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