- 专利标题： The method of forming a silicon oxide-containing film
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申请号： JP2008501327申请日： 2006-03-17
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公开(公告)号： JP5329218B2公开(公告)日： 2013-10-30
- 发明人: デュサラ、クリスティアン , ガティノー、ジュリアン , 和孝 柳田 , 恵理 塚田 , 郁生 鈴木
- 申请人： レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
- 专利权人： レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
- 当前专利权人： レール・リキード−ソシエテ・アノニム・プール・レテュード・エ・レクスプロワタシオン・デ・プロセデ・ジョルジュ・クロード
- 优先权： JP2005077608 2005-03-17
- 主分类号： H01L21/316
- IPC分类号： H01L21/316 ; C23C16/42 ; H01L21/314 ; H01L21/336 ; H01L29/78
摘要：
A method of forming a silicon oxide film, comprising the steps of: providing a substrate into a reaction chamber; injecting into the reaction chamber at least one silicon containing compound where the at least one silicon containing compound is bis(diethylamino)silane; injecting Oxygen into the reaction chamber and at least one other O-containing gas selected from ozone and water; reacting in the reaction chamber by chemical vapor deposition at a temperature below 400 C the at least one silicon containing compound and the at least one oxygen containing gas in order to obtain the silicon oxide film deposited onto the substrate.
公开/授权文献
- JP2008533731A The method of forming a silicon oxide-containing film 公开/授权日：2008-08-21
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