Transistor

Invention Patent

JP5414709B2 Transistor 有权

Please log in to see more content

Patent Title: Transistor
Application No.: JP2011023388

Application Date: 2011-02-04
Publication No.: JP5414709B2

Publication Date: 2014-02-12
Inventor: 秀俊石田
Applicant: パナソニック株式会社
Assignee: パナソニック株式会社
Current Assignee: パナソニック株式会社
Priority: JP2005030815 2005-02-07
Main IPC: H01L21/338
IPC: H01L21/338 ; H01L29/778 ; H01L29/812 ; H01L33/16 ; H01L33/20 ; H01S5/323

Transistor

Public/Granted literature

JP2011151398A Transistor Public/Granted day:2011-08-04

Information query

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334	....制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335	.....场效应晶体管
H01L21/338	......带有肖特基栅的

Patent Agency Ranking