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公开(公告)号：JP2021519743A
公开(公告)日：2021-08-12
申请号：JP2021502737
申请日：2019-04-01
发明人： 神川 剛 , ガンドロテューラ シュリーニヴァス , リー ホンチャン
IPC分类号： C30B25/04 , C30B25/20 , C30B33/00 , C23C16/34 , C23C16/04 , H01L21/205 , H01L33/32 , H01S5/323 , C30B29/38
摘要： 半導体デバイスを作成する方法であり、III族窒化物基板の上又は上方に成長制限マスクを形成し、その成長制限マスクを用いそのIII族窒化物基板上に1個又は複数個の島状III族窒化物半導体層を成長させる。そのIII族窒化物基板における平面内オフ角方位分布は0.1°超の大きさとし、m面方位結晶性表平面のオフ角方位はc面方向に+約28°〜−約47°の範囲内とする。その島状III族窒化物半導体層に備わる少なくとも1個の長辺及び短辺のうち長辺を、その島状III族窒化物半導体層のa軸に対し垂直にする。島状III族窒化物半導体層を、近隣の島状III族窒化物半導体層と合体させない。
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公开(公告)号：JP6811472B2
公开(公告)日：2021-01-13
申请号：JP2016212246
申请日：2016-10-28
申请人： 国立大学法人東海国立大学機構
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78 , H01S5/323 , H01L21/205
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公开(公告)号：JP2020194968A
公开(公告)日：2020-12-03
申请号：JP2020129257
申请日：2020-07-30
申请人： 国立大学法人大阪大学
IPC分类号： H01S5/323 , H01L21/205 , C30B29/38 , C23C16/34 , H01S5/18
摘要： 【課題】従来よりも飛躍的に発光効率の増大を図ることができる半導体発光素子の製造技術を提供する。 【解決手段】基板上に形成されたGaNエピタキシャル膜上に設けられるAlInN膜であって、AlInN層が積層されて形成されており、積層されたAlInN層の間に、厚み0.1〜10nmのGaN製、AlN製またはAlGaN製のキャップ層が設けられて、超格子構造が形成されており、総厚みが200nmを超えていると共に、二乗平均平方根高さRMSが3nm以下であるAlInN膜。基板上に形成されたGaNエピタキシャル膜上に、有機金属気相成長法、分子線エピタキシー法、スパッタ法のいずれかの方法を用いて、700〜850℃の雰囲気下、AlInN層を厚み200nm以下にエピタキシャル成長させて形成するAlInN層形成工程を複数回繰り返して、所定の厚みとなるまで、AlInN層を成長させるAlInN膜の製造方法。 【選択図】図3
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公开(公告)号：JP2020123716A
公开(公告)日：2020-08-13
申请号：JP2019179038
申请日：2019-09-30
申请人： シャープ株式会社
摘要： 【課題】動作電圧を改善して、信頼性の高い半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】窒化物半導体レーザ素子10は、少なくとも、第2導電型半導体層14に設けられたリッジ部15と、前記リッジ部15の上面と前記リッジ部15の両側面の一部とを覆う導電性酸化物層16と、前記導電性酸化物層16の一部を覆う誘電体層17と、前記導電性酸化物層16と前記誘電体層17とを覆う第1金属層18とを備え、前記導電性酸化物層16における前記リッジ部15の上面に積層された部分は前記誘電体層17から露出されるとともに前記第1金属層18に覆われている。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JPWO2019187583A1
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：JP2019002749
申请日：2019-01-28
申请人： パナソニック株式会社
IPC分类号： H01S5/323
摘要： 半導体発光素子(100)、GaN基板(11)と、GaN基板(11)の上方に配置され、第1導電型の窒化物系半導体を含む第1半導体層(12)と、第1半導体層(12)の上方に配置され、Ga又はInを含む窒化物系半導体を含む活性層(15)と、活性層(15)の上方に配置され、少なくともAlを含む窒化物系半導体を含む電子障壁層(18)と、電子障壁層(18)の上方に配置され、第1導電型と異なる第2導電型の窒化物系半導体を含む第2半導体層(19)とを備え、電子障壁層(18)は、Al組成比が第1の変化率で変化する第1領域と、第1領域と第2半導体層(19)との間に配置され、Al組成比が第2の変化率で変化する第2領域とを有し、第1領域及び第2領域において、Al組成比は活性層(15)から第2半導体層(19)に向かう方向に対して単調増加し、第2の変化率は第1の変化率よりも大きい。
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公开(公告)号：JP2020519026A
公开(公告)日：2020-06-25
申请号：JP2019560276
申请日：2018-05-07
发明人： 神川 剛 , ガンドロトゥーラ, スリニヴァス , リー, ホンジャン , コーエン, ダニエル エー.
摘要： 基板を除去する方法は、直接または間接的にGaN系基板の上に複数のストライプのある開放エリアを有する成長制限マスクを形成することと、成長制限マスクを使用して、GaN系基板上に複数の半導体層を成長させることとを含み、成長は、成長制限マスクのストライプのある開放エリアに平行な方向に広がり、成長は、半導体層が合体する前に停止させられ、それによって、島状半導体層をもたらす。素子が、島状半導体層の各々のために処理される。エッチングが、成長制限マスクの少なくとも一部が露出されるまで、実施される。素子は、次いで、支持基板に接合される。GaN系基板は、成長制限マスクを少なくとも部分的に溶解する湿式エッチング技法によって素子から除去される。除去されたGaN基板は、次いで、再生利用されることができる。
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公开(公告)号：JP2019129257A
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：JP2018010659
申请日：2018-01-25
申请人： シャープ株式会社
IPC分类号： H01S5/323
摘要： 【課題】簡便な手法でありながら窒化物半導体基板から空気中への自然放出光の透過率を低下させることができる窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供する。 【解決手段】窒化物半導体レーザ素子10は、窒化物半導体基板上に設けられた窒化物半導体からなる積層体2と、積層体2に設けられたレーザ導波路3と、窒化物半導体基板1と積層体2との共通の端面を覆う誘電体膜4とを備えている。端面10a,10aにおいて、レーザ導波路3の反射ミラー部31を構成している領域以外の領域の一部には窪み部90がある。窪み部90は、その表面に大きさの異なる多数の突起9aが形成されている非平坦構造9を有している。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2019110180A
公开(公告)日：2019-07-04
申请号：JP2017241535
申请日：2017-12-18
申请人： 日本電信電話株式会社
摘要： 【課題】プラズモニック構造において、損失を増やさずに、光閉じ込め係数が改善できるようにする。 【解決手段】金属から構成された構造体101と、構造体101の上に配置された半導体からなるナノワイヤ部102と、ナノワイヤ部102の表面に形成された誘電体層103とを備える。ナノワイヤ部102は、接触領域121において側面が構造体101の上に接している。ナノワイヤ部102は、ナノワイヤ部102を伝搬する光のプラズモニックモード(ハイブリッドモード)が出現可能な太さ(直径)とされている。 【選択図】 図1B
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