Invention Patent
- Patent Title: 半導体レーザ装置
- Patent Title (English): Semiconductor laser device
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Application No.: JP2014550978Application Date: 2013-10-01
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Publication No.: JP5911038B2Publication Date: 2016-04-27
- Inventor: 森田 大嗣 , 桂 智毅 , 今野 進 , 藤川 周一 , 西田 聡 , 熊本 健二 , 宮本 直樹 , 黒川 裕章
- Applicant: 三菱電機株式会社
- Applicant Address: 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
- Assignee: 三菱電機株式会社
- Current Assignee: 三菱電機株式会社
- Current Assignee Address: 東京都千代田区丸の内二丁目7番3号
- Agent 曾我 道治; 梶並 順; 大宅 一宏; 上田 俊一; 吉田 潤一郎; 飯野 智史; 別所 公博
- Priority: JP2012263980 2012-12-03
- International Application: JP2013076681 JP 2013-10-01
- International Announcement: WO2014087726 JP 2014-06-12
- Main IPC: H01S5/14
- IPC: H01S5/14 ; H01S5/40 ; G02B27/10 ; H01S5/022
Public/Granted literature
- JPWO2014087726A1 半導体レーザ装置 Public/Granted day:2017-01-05
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