发明专利
- 专利标题： 半導体装置、およびプレライトプログラム
- 专利标题（英）： JP6234945B2 - Semiconductor device, and the pre-write program
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申请号： JP2014559030申请日： 2014-03-31
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公开(公告)号： JP6234945B2公开(公告)日： 2017-11-22
- 发明人: 谷 国雄
- 申请人： ルネサスエレクトロニクス株式会社
- 申请人地址： 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
- 专利权人： ルネサスエレクトロニクス株式会社
- 当前专利权人： ルネサスエレクトロニクス株式会社
- 当前专利权人地址： 東京都江東区豊洲三丁目2番24号
- 代理商 特許業務法人深見特許事務所
- 国际申请： JP2014059546 JP 2014-03-31
- 国际公布： WO2015151197 JP 2015-10-08
- 主分类号： G11C16/22
- IPC分类号： G11C16/22
公开/授权文献
- JPWO2015151197A1 半導体装置、プレライトプログラム、および復元プログラム 公开/授权日：2017-04-13
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