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    半導体装置
    1.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021196284A

    公开(公告)日：2021-12-27

    申请号：JP2020103512

    申请日：2020-06-16

    Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

    Inventor： 小那覇 大輔

    IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  G01R31/28 ,  G01R31/54

    Abstract: 【課題】異常を検出することが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置は、配線を介して、電源電圧が供給されるパッドBP(1)、BP(2)、BP(S)と、電源ネットVdd1_n、Vdd2_n、Vss_nにおける電圧に基づいて動作する回路ブロックCB1、CB2と、パッドにおける電圧を検出する検出ブロックとを備える。ここで、パッドBP(1)、BP(2)、BP(S)は、電源ネットVdd1_n、Vdd2_n、Vss_nまたは検出ブロックに選択的に接続される。 【選択図】図1

    半導体装置および復号化方法
    3.
    发明专利
    半導体装置および復号化方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021190929A

    公开(公告)日：2021-12-13

    申请号：JP2020096553

    申请日：2020-06-03

    Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

    Inventor： 石見 幸一 ,  藤井 謙雄

    IPC: H04L25/49 ,  H04L7/04 ,  H03M5/04 ,  H04L25/38

    Abstract: 【課題】データ送信の周波数と比較してサンプリング周波数が大きくない場合、そのばらつきによって間違ったエッジを検出してしまうことを低減することである。 【解決手段】半導体装置は、第1の時刻において第1のデータを受信し、第2の時刻において第2のデータを受信するデータ受信回路と、範囲を設定し、範囲に含まれるエッジを検出するエッジ認識回路と、を備える。エッジ認識回路は、第1のデータを受信してから第2のデータを受信するまでの第1期間を計測する計測回路を備え、第1期間に基づいて、データ受信回路が受信するデータに含まれるエッジを検出する範囲を決定するよう構成される。 【選択図】図7

    半導体装置
    5.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021184450A

    公开(公告)日：2021-12-02

    申请号：JP2020090116

    申请日：2020-05-22

    Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

    Inventor： 内田 慎一 ,  中柴 康隆 ,  桑原 愼一

    IPC: H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/092 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L25/00

    Abstract: 【課題】二つのインダクタを設ける半導体装置の大型化を抑制する。 【解決手段】半導体装置は、第1基板と、第1基板上に形成された多層配線層と、多層配線層に平面視においてミアンダ形状に形成された第1インダクタと、多層配線層に平面視においてミアンダ形状に形成され、平面視において第1インダクタと近接し、かつ、重ならないよう配置された第2インダクタと、を備える。第1インダクタと第2インダクタとによりトランスフォーマーを構成し、平面視において、第1インダクタ及び第2インダクタは第1基板の1辺が延伸する第1方向に沿って延伸している。 【選択図】図2

    インタフェース回路
    7.
    发明专利
    インタフェース回路 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021175050A

    公开(公告)日：2021-11-01

    申请号：JP2020076222

    申请日：2020-04-22

    Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

    Inventor： 齊藤 紀博

    IPC: H04B3/06 ,  H04L25/03

    Abstract: 【課題】面積の増大を抑制しつつ、イコライザの調整機能を簡易に実行することが可能なインタフェース回路を提供する。 【解決手段】インタフェース回路は、伝送路と接続され、伝送路を介して送信される送信信号を受信する受信回路を備える。受信回路は、伝送路を介して送信される予め設定された信号波形の減衰特性を検出する検出回路と、検出回路により検出された信号波形の減衰特性に基づいて伝送路を介して受信される受信信号の信号波形を制御するイコライザとを含む。 【選択図】図3

    半導体装置の製造方法
    10.
    发明专利
    半導体装置の製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2021136334A

    公开(公告)日：2021-09-13

    申请号：JP2020031649

    申请日：2020-02-27

    Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

    Inventor： 佐藤 嘉昭 ,  椀澤 光伸 ,  松本 明 ,  出口 善宣 ,  齊藤 健太郎

    IPC: H01L21/60

    Abstract: 【課題】半導体装置の信頼性を向上する。 【解決手段】一実施の形態における半導体装置の製造方法は、不揮発性メモリ、ボンディングパッドBP、および、有機材料から成る絶縁膜IF、を有する半導体ウエハSWFを準備した後、領域RG2に位置するボンディングパッドBPの表面BPSにプローブ針を接触させ、不揮発性メモリにデータを書き込む。なお、絶縁膜IFは、有機材料に対して第1熱処理を施すことで形成される。その後、半導体ウエハSWFに対して第2熱処理を施し、さらに、データが書き込まれた不揮発性メモリをチェックした後、領域RG1に位置するボンディングパッドBPの表面BPS上に、メッキ法を用いて、バリア層BRLおよび半田材SM1を形成する。さらに、半田材SM1に対して第3熱処理を施すことで、領域RG1に、バンプ電極BEを形成する。 【選択図】図15

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