发明专利
- 专利标题： 気相化学曝露による低誘電率誘電体の損傷修復
- 专利标题（英）： JP6422536B2 - Damage repair of low-k dielectric by chemical vapor exposure
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申请号： JP2017152916申请日： 2017-08-08
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公开(公告)号： JP6422536B2公开(公告)日： 2018-11-14
- 发明人: チャン, ケルヴィン , デモス, アレクサンドロス ティー.
- 申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド , APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
- 申请人地址： アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95054 サンタ クララ バウアーズ アベニュー 3050
- 专利权人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド,APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
- 当前专利权人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド,APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
- 当前专利权人地址： アメリカ合衆国 カリフォルニア州 95054 サンタ クララ バウアーズ アベニュー 3050
- 代理商 園田・小林特許業務法人
- 优先权： US61/667,237 2012-07-02
- 主分类号： C23C16/48
- IPC分类号： C23C16/48 ; C23C16/455 ; H01L21/312
公开/授权文献
- JP2018011061A 気相化学曝露による低誘電率誘電体の損傷修復 公开/授权日：2018-01-18
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