公开(公告)号：JP6913752B2

公开(公告)日：2021-08-04

申请号：JP2019531962

申请日：2017-11-29

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

发明人： チェン, イーホン ,  チャン, ケルヴィン ,  ル, シンリャン ,  ガンディコッタ, シュリーニヴァース ,  ウー, ヨン ,  ロイ, サスミット シンハー ,  チン, チア チョン

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  C23C16/14 ,  C23C16/16 ,  H01L21/3205

公开(公告)号：JP6749516B1

公开(公告)日：2020-09-02

申请号：JP2020092855

申请日：2020-05-28

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

发明人： チェン, イーホン ,  チャン, ケルヴィン ,  ムケルジー, シャウナック ,  マリック, アブヒジット バス

IPC分类号： H01L21/316

摘要： 本明細書で開示される実施態様は、概して酸化ケイ素膜を形成する方法に関する。方法は、末端水酸基を有する基板の表面でシリル化を行うことを含むことができる。次いで、基板表面の水酸基は、追加的シリル化を行うために、プラズマ及びH 2 O浸漬を用いて再生される。更に方法は、ルイス酸を使用して露出面に触媒作用を及ぼすことと、露出した第1及び第2の表面を方向的に不活性にすることと、ケイ素含有層を側壁面に堆積させることとを含む。複数のプラズマ処理が、所望の厚さを有する層を堆積させるために実行され得る。 【選択図】 図3D

公开(公告)号：JP2020522130A

公开(公告)日：2020-07-27

申请号：JP2019564798

申请日：2018-05-22

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

发明人： チェン, イーホン ,  トアン, ツーチン ,  マリック, アブヒジット バス ,  チャン, ケルヴィン

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792 ,  H01L27/11556 ,  H01L21/28 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L23/532 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/302 ,  H01L27/11582

摘要： 半導体デバイス(例えば、3D−NAND)のワードライン分離の方法が記載される。金属膜は、ワードライン内と、間隔を空けた酸化物層のスタックの表面上に堆積される。金属膜は、高温酸化と酸化物のエッチング、又は表面を酸化させ酸化物を単層態様でエッチングすることによる低温原子層エッチングによって除去される。金属被覆部を除去した後には、ワードラインが金属膜で埋められている。 【選択図】図4A

公开(公告)号：JP6711839B2

公开(公告)日：2020-06-17

申请号：JP2017541759

申请日：2016-01-05

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

发明人： チェン, イーホン ,  チャン, ケルヴィン ,  ムケルジー, シャウナック ,  マリック, アブヒジット バス

IPC分类号： H01L21/316

公开(公告)号：JP2020506533A

公开(公告)日：2020-02-27

申请号：JP2019531962

申请日：2017-11-29

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

发明人： チェン, イーホン ,  チャン, ケルヴィン ,  ル, シンリャン ,  ガンディコッタ, シュリーニヴァース ,  ウー, ヨン ,  ロイ, サスミット シンハー ,  チン, チア チョン

IPC分类号： H01L21/768 ,  H01L23/532 ,  C23C16/14 ,  C23C16/16 ,  H01L21/3205

摘要： 本処理法は、タングステン又はモリブデンを含有する間隙充填層を形成することを含み、ここでは、表面に少なくとも1つのフィーチャを有する基板表面を、金属前駆体に、そして水素を含む還元剤に順次暴露することによって、フィーチャに間隙充填層が形成され、基板表面と間隙充填層との間には、核形成層が存在しない。 【選択図】図6

公开(公告)号：JP6422536B2

公开(公告)日：2018-11-14

申请号：JP2017152916

申请日：2017-08-08

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

发明人： チャン, ケルヴィン ,  デモス, アレクサンドロス ティー.

IPC分类号： C23C16/48 ,  C23C16/455 ,  H01L21/312

CPC分类号： H01L21/02348 ,  C23C16/045 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/02203 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/76814 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826

公开(公告)号：JP2018513273A

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：JP2017551597

申请日：2016-03-29

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

发明人： マンナ, プラミット ,  チェン, ルイ ,  チャン, ケルヴィン ,  マリック, アブヒジット バス

IPC分类号： C23C16/38 ,  H01L21/28 ,  H01L21/285 ,  H01L21/318

CPC分类号： H01L21/76846 ,  C23C16/045 ,  C23C16/16 ,  C23C16/342 ,  C23C16/46 ,  H01L21/28556 ,  H01L21/76864 ,  H01L21/76877

摘要： 本開示の実装形態は、概して、高アスペクト比フィーチャデフィニションにおける薄膜を形成する方法に関する。一実装形態では、処理チャンバ内で基板を処理する方法が提供される。この方法は、リガンドを含むホウ素含有前駆体を処理チャンバの内部処理容積の中に流すことと、リガンドを含む窒素含有前駆体を内部処理容積の中に流すことと、内部処理容積の中でホウ素含有前駆体及び窒素含有前駆体を熱分解し、基板上の誘電体層の表面において及びその下方で形成された高アスペクト比フィーチャデフィニションの少なくとも1つ以上の側壁及び底面の上に窒化ホウ素層を堆積することとを含む。【選択図】図1

公开(公告)号：JP2021522415A

公开(公告)日：2021-08-30

申请号：JP2020559532

申请日：2019-03-27

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

发明人： チャン, ケルヴィン ,  コー, トラヴィス ,  ファン, シモン ,  クラウス, フィリップ アレン

IPC分类号： H01L21/31 ,  H01L21/314 ,  C23C16/503

摘要： 実施形態は、基板を処理する方法を含む。一実施形態では、本方法は、1つ以上のソースガスを処理チャンバに流すこと、及び第1のモードで動作するプラズマ源を用いてソースガスからプラズマを誘導することを含む。一実施形態では、本方法は、第2のモードで動作するDC電源を用いて基板にバイアスをかけることをさらに含みうる。一実施形態では、本方法は、基板上に膜を堆積することをさらに含みうる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2019204942A

公开(公告)日：2019-11-28

申请号：JP2019027117

申请日：2019-02-19

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

发明人： チェン, ハンホン ,  チャン, ケルヴィン ,  クラウス, フィリップ アラン ,  チョア, タイ チョン

IPC分类号： H01L21/31 ,  C23C16/455 ,  C23C16/34 ,  C23C16/44 ,  H01L21/318

摘要： 【課題】良好な共形性及び高い品質を有する窒化ケイ素の形成方法を提供する。 【解決手段】堆積チャンバ内で基板上に窒化ケイ素膜を形成するための処理ガスのシーケンスは、基板の表面上に、ハロゲン化ケイ素の吸収された層を形成するハロゲン化ケイ素の前駆体に曝す工程と、N 2 及びArとHeのうちの一方又は両方を含む第1の反応ガスに曝す工程と、水素含有ガス並びにAr、He、及びN 2 のうちの1以上を含み、水素含有ガスが、H 2 (分子状水素)、NH 3 (アンモニア)、N 2 H 2 (ジアゼン)、N 2 H 4 (ヒドラジン)及びHN 3 (アジ化水素)のうちの少なくとも1つを含む第2の反応ガスに曝す工程とを、所望の厚さが得られるまでを繰り返す。 【選択図】図3A

公开(公告)号：JP2019197884A

公开(公告)日：2019-11-14

申请号：JP2019048400

申请日：2019-03-15

申请人： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド ,  APPLIED MATERIALS,INCORPORATED

发明人： パン, ヤオリン ,  クリシーヴァサン, ヴィジャイクマール ,  マオ, シミン ,  チャン, ケルヴィン ,  ウィルワース, ミカエル ディー. ,  サブラマニ, アナンタ ,  ゴエル, アシシュ ,  ルー, チー−シュン ,  クラウス, フィリップ アレン ,  テ, パトリック ジョン ,  テデスキ, レナード

IPC分类号： H01L21/3065

摘要： 【課題】半導体製造ツールの消耗品の使用可能な寿命をモニタする。 【解決手段】半導体製造ツールの消耗品に共鳴プロセスモニタを取り付ける。共鳴プロセスモニタ150は、第1の開口及び第2の開口を有するフレーム120を含む。共鳴体140は、フレーム120の第1の開口を密封する。共鳴体140の第1の表面上の第1の電極141は、フレーム120に接触し、第2の電極142は、共鳴体140の第2の表面上にある。フレーム120の第2の開口を密封する背板130をさらに含む。背板130は、フレーム120に機械的に連結され、共鳴体140、背板130、及びフレーム120の内部表面は、空洞110を画定する。 【選択図】図1A