ナノ超薄膜誘電体とその製造方法及びナノ超薄膜誘電体素子

Invention Patent

JPWO2007094244A1 ナノ超薄膜誘電体とその製造方法及びナノ超薄膜誘電体素子有权

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Patent Title: ナノ超薄膜誘電体とその製造方法及びナノ超薄膜誘電体素子
Patent Title (English): Nano ultra-thin dielectric and its manufacturing method and nano ultra thin film dielectric element
Application No.: JP2008500468

Application Date: 2007-02-08
Publication No.: JPWO2007094244A1

Publication Date: 2009-07-02
Inventor: 実長田 , 実長田 , 佐々木　高義 , 高義佐々木
Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構
Assignee: 独立行政法人物質・材料研究機構
Current Assignee: 独立行政法人物質・材料研究機構
Priority: JP2006035583 2006-02-13
Main IPC: H01L21/316
IPC: H01L21/316 ; H01G4/33

Abstract:

主として、層状チタン酸化物を剥離して得られたチタン酸化物のナノシート単体もしくはその積層をもって構成されているナノ超薄膜誘電体で、ナノ領域において高い誘電率と良好な絶縁特性を同時に実現し、かつ、基板界面劣化、組成ズレの影響の少ない低温での誘電体素子作成を可能とする。

Abstract(English):

Mainly, the nano ultrathin film dielectric is configured with a nanosheet alone or a lamination of a titanium oxide obtained by peeling the layered titanic oxide, to achieve a high dielectric constant and good dielectric properties in the nano-domains simultaneously, and substrate interface deterioration, enabling dielectric element creation of a small low influence of composition deviation.

Public/Granted literature

JP5099710B2 Capacitor and method of manufacturing the same Public/Granted day:2012-12-19

Information query

Espacenet

IPC分类:

H	电学
H01	基本电气元件
H01L	半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件（使用半导体器件的测量入G01；一般电阻器入H01C；磁体、电感器、变压器入H01F；一般电容器入H01G；电解型器件入H01G9/00；电池组、蓄电池入H01M；波导管、谐振器或波导型线路入H01P；线路连接器、汇流器入H01R；受激发射器件入H01S；机电谐振器入H03H；扬声器、送话器、留声机拾音器或类似的声机电传感器入H04R；一般电光源入H05B；印刷电路、混合电路、电设备的外壳或结构零部件、电气元件的组件的制造入H05K；在具有特殊应用的电路中使用的半导体器件见应用相关的小类）
H01L21/00	专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02	.半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04	..至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18	...器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30	....用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的（在半导体材料上制作电极的入H01L21/28）
H01L21/31	.....在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的（密封层入H01L21/56）；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314	......无机层（H01L21/3105，H01L21/32优先）
H01L21/316	.......由氧化物或玻璃状氧化物或以氧化物为基础的玻璃组成的无机层