公开(公告)号：JP5688816B2

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：JP2012538643

申请日：2011-10-04

Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構

Inventor： 実 長田 ,  実 長田 ,  佐々木　高義 ,  高義 佐々木

IPC: H01L21/316 ,  C01G33/00 ,  H01B3/00 ,  H01L21/8246 ,  H01L27/105 ,  H01L41/187 ,  H01L41/317 ,  H01L41/39

CPC classification number: H01L41/183 ,  C30B19/062 ,  G11C11/22 ,  H01G4/12 ,  H01G4/33 ,  H01L21/02197 ,  H01L27/11507 ,  H01L28/55 ,  H01L41/1871 ,  H01L41/1873 ,  H01L41/1876 ,  H01L41/1878 ,  H01L41/317 ,  Y10T428/24975

公开(公告)号：JPWO2013005468A1

公开(公告)日：2015-02-23

申请号：JP2013522504

申请日：2012-04-20

Applicant: 株式会社村田製作所 ,  独立行政法人物質・材料研究機構

Inventor： 貴史 岡本 ,  貴史 岡本 ,  実 長田 ,  実 長田 ,  佐々木　高義 ,  高義 佐々木

IPC: H01G4/12 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04

CPC classification number: H01G4/10 ,  H01G4/018 ,  H01G4/18 ,  H01G4/206 ,  H01G4/33 ,  H01L28/40 ,  H01L29/94 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/0579

Abstract: 【課題】漏れ電流を低減できる誘電体薄膜、誘電体薄膜素子および薄膜コンデンサを提供する。【解決手段】薄膜コンデンサ1は、基板10と、基板10上に形成された誘電体薄膜素子16と、を備えている。基板10は、Si板2と、Si板2上に形成されたSiO2膜4と、SiO2膜4上に形成されたTi膜6と、で形成されている。誘電体薄膜素子16は、下部電極8と、下部電極8上に形成された誘電体薄膜12と、誘電体薄膜12上に形成された上部電極14と、で構成されている。誘電体薄膜12は、ナノシートにより構成される薄膜であって、誘電体薄膜12の空隙部にp型導電性有機高分子が充填されている。ナノシートの主成分となる誘電体としては、Ti0.87O2、あるいは、Ca2Nb3O10などが用いられている。p型導電性有機高分子としては、ポリピロール、ポリアニリン、あるいは、ポリエチレンジオキシチオフェンなどが適している。

Abstract translation: 的电介质薄膜能够降低漏电流，以提供电介质薄膜元件和薄膜电容器。 一种薄膜电容器1包括基板10，和形成在基板10中，在介电薄膜元件16。 基板10包括在Si基板2，形成在Si板2 SiO 2膜4，Ti膜6形成在SiO 2膜4，在其上形成。 电介质薄膜元件16包括下电极8，形成在该下电极8的电介质薄膜12，和形成在电介质薄膜12上的上部电极14，在被配置。 介电膜12是薄膜的纳米片，p型导电性有机聚合物填充在电介质膜12的间隙部分组成。 电介质用作纳米片，Ti0.87O2等Ca2Nb3O10的主要成分被使用。 在p型导电性有机聚合物，聚吡咯，聚苯胺，或聚乙烯二氧噻吩是合适的。

公开(公告)号：JP5626649B2

公开(公告)日：2014-11-19

申请号：JP2010516872

申请日：2009-06-10

Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構

Inventor： 実 長田 ,  実 長田 ,  佐々木　高義 ,  高義 佐々木

IPC: H05K9/00 ,  B32B27/18 ,  C01G23/00

CPC classification number: H05K9/0088 ,  B82Y25/00 ,  C01G23/003 ,  C01G23/005 ,  C01G45/006 ,  C01G51/006 ,  C01G53/006 ,  C01P2002/52 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/24 ,  C01P2006/42 ,  C04B35/462 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3275 ,  H01F10/007 ,  H01F10/193 ,  H05K9/0096 ,  Y10T428/265

公开(公告)号：JP4831629B2

公开(公告)日：2011-12-07

申请号：JP2007550195

申请日：2006-12-13

Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構

Inventor： 高義 佐々木 ,  実 長田

IPC: H01F10/32 ,  G02B27/28 ,  G02F1/09 ,  G11B5/64 ,  G11B5/673 ,  G11B5/842 ,  G11B11/105 ,  H01F10/18 ,  H01F41/24

CPC classification number: H01F41/302 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  B82Y40/00 ,  G02F1/0036 ,  G02F1/093 ,  H01F10/3231 ,  Y10T156/10 ,  Y10T428/1129 ,  Y10T428/325

公开(公告)号：JP4635250B2

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：JP2004285812

申请日：2004-09-30

Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構

Inventor： シン ハオ ,  マ ルンチー ,  高義 佐々木 ,  保夫 海老名

IPC: C09K11/67 ,  C09K11/08 ,  C09K11/57 ,  H01J11/22 ,  H01J11/24 ,  H01J11/34 ,  H01J11/42

公开(公告)号：JPWO2008126624A1

公开(公告)日：2010-07-22

申请号：JP2009509014

申请日：2008-03-13

Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構

Inventor： 実 長田 ,  実 長田 ,  佐々木　高義 ,  高義 佐々木

IPC: G02F1/09 ,  B82B1/00 ,  H01F10/10

CPC classification number: G02F1/093 ,  G11B5/65 ,  G11B11/10541 ,  G11B11/10582 ,  G11B11/10584 ,  G11B11/10586 ,  H01F10/193

Abstract: チタン格子位置に2種以上の異なる磁性元素を同時置換した層状チタン酸化物を単層剥離して得られる磁性元素同時置換チタニアナノシートからなる磁性ナノ薄膜を用いたことを特徴とする非鉛系磁性光学素子が開示されている。この非鉛系磁性光学素子は、単体として紫外光から近赤外光の広い波長領域で高い磁気光学効果を有する。

公开(公告)号：JPWO2008078652A1

公开(公告)日：2010-04-22

申请号：JP2008551070

申请日：2007-12-20

Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構

Inventor： 実 長田 ,  実 長田 ,  海老名　保男 ,  保男 海老名 ,  佐々木　高義 ,  高義 佐々木

IPC: H01L21/314 ,  H01L21/283 ,  H01L21/288 ,  H01L21/316 ,  H01L21/822 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/04 ,  H01L27/108 ,  H01L27/28 ,  H01L29/78 ,  H01L51/05

CPC classification number: H01L27/10873 ,  C04B35/016 ,  C04B35/462 ,  C04B35/495 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3296 ,  C04B2235/764 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/33 ,  H01L21/31691 ,  H01L27/1085 ,  H01L28/55 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  Y10T156/10

Abstract: 誘電体薄膜がペロブスカイトナノシートの層よりなる誘電体素子を提供する。これによって、ペロブスカイトナノシートの有する独自の物性および高い組織、構造制御性を活用することができ、ナノ領域において高い誘電率と良好な絶縁特性を同時に実現することができる。

公开(公告)号：JPWO2007094244A1

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：JP2008500468

申请日：2007-02-08

Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構

Inventor： 実 長田 ,  実 長田 ,  佐々木　高義 ,  高義 佐々木

IPC: H01L21/316 ,  H01G4/33

CPC classification number: H01L21/316 ,  B82Y10/00 ,  C09D1/00 ,  H01L21/28167 ,  H01L27/10873 ,  H01L28/40 ,  H01L29/517 ,  Y10T156/10

Abstract: 主として、層状チタン酸化物を剥離して得られたチタン酸化物のナノシート単体もしくはその積層をもって構成されているナノ超薄膜誘電体で、ナノ領域において高い誘電率と良好な絶縁特性を同時に実現し、かつ、基板界面劣化、組成ズレの影響の少ない低温での誘電体素子作成を可能とする。

公开(公告)号：JP5659371B2

公开(公告)日：2015-01-28

申请号：JP2009531280

申请日：2008-09-04

Applicant: 石原産業株式会社 ,  独立行政法人物質・材料研究機構

Inventor： 佐々木　高義 ,  高義 佐々木 ,  海老名　保男 ,  保男 海老名 ,  博文 谷口 ,  博文 谷口 ,  祐介 植薄 ,  祐介 植薄

IPC: C01G23/04 ,  B01J35/02 ,  C09C1/36 ,  C09D1/00 ,  C09D17/00

CPC classification number: C01G23/04 ,  B01J35/004 ,  B01J37/0215 ,  B01J37/0219 ,  B01J37/0244 ,  B01J37/32 ,  B82Y30/00 ,  C01G23/005 ,  C01G23/047 ,  C01P2002/84 ,  C01P2004/03 ,  C01P2004/04 ,  C01P2004/20 ,  C01P2004/22 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2004/84 ,  C01P2006/60 ,  C08K3/22 ,  C09C1/3607 ,  C09D5/32 ,  C09D7/1291 ,  C09D7/70 ,  C09D17/007 ,  G02B5/208

公开(公告)号：JP5553344B2

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：JP2010124715

申请日：2010-05-31

Applicant: 独立行政法人物質・材料研究機構 ,  旭硝子株式会社

Inventor： 高義 佐々木 ,  優 吉武 ,  クリッツペラ トーマス ,  海生 曽

IPC: H01M4/86 ,  H01M4/88 ,  H01M4/90 ,  H01M8/10

CPC classification number: Y02P70/56