Invention Patent
- Patent Title: 多層配線基板及びその製造方法
- Patent Title (English): Multilayer wiring substrate and a method of manufacturing the same
- Patent Title (中): 多层布线板及其制造方法
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Application No.: JP2014512445Application Date: 2013-04-03
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Publication No.: JPWO2013161527A1Publication Date: 2015-12-24
- Inventor: 真之介 前田 , 真之介 前田
- Applicant: 日本特殊陶業株式会社
- Applicant Address: 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号
- Assignee: 日本特殊陶業株式会社
- Current Assignee: 日本特殊陶業株式会社
- Current Assignee Address: 愛知県名古屋市瑞穂区高辻町14番18号
- Agent 渥美 久彦
- Priority: JP2012101905 2012-04-26
- Main IPC: H05K3/46
- IPC: H05K3/46 ; H01L23/12
Abstract:
樹脂絶縁層と導体層との密着性を十分に確保することができ、接続信頼性に優れた多層配線基板を提供する。多層配線基板(10)は、複数の樹脂絶縁層(33〜36)及び複数の導体層(42)を交互に積層して多層化したビルドアップ構造を有する。樹脂絶縁層(33〜36)は、下側絶縁層(51)と下側絶縁層(51)上に設けられた上側絶縁層(52)とからなり、上側絶縁層(52)の表面上に導体層(42)が形成される。上側絶縁層(52)は、下側絶縁層(51)よりも薄く形成され、上側絶縁層(52)に占めるシリカフィラーの体積割合は、下側絶縁層(51)に占めるシリカフィラー及びガラスクロスの体積割合よりも少ない。
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