利索-全球专利检索

  1. 登录
  2. 注册
发明专利
JPWO2013180300A1 パワー半導体用アルミニウムワイヤ及び該アルミニウムワイヤを用いた半導体装置、並びに該アルミニウムワイヤの探索方法 有权
使用铝线与铝线用于功率半导体的半导体器件，以及铝电线的搜索方法

パワー半導体用アルミニウムワイヤ及び該アルミニウムワイヤを用いた半導体装置、並びに該アルミニウムワイヤの探索方法
摘要：
パワー半導体デバイスの動作温度の上昇に対して、従来以上の高信頼性を有するボンディング接続部を実現できるボンディングAlワイヤ及び該Alワイヤを用いた半導体装置、並びに該Alワイヤの探索方法を提供する。本発明のボンディングAlワイヤは、アルミニウム合金からなり、室温から300℃の温度範囲で実測される応力と歪との関係を示す曲線(応力−歪線図)において、該応力−歪線図の降伏後の線図から真応力の差分(Δρt)と真歪の差分(Δεt)との比(Δρt/Δεt)を算出することによって降伏後の真歪に対する真応力の傾きとして求められる接線係数TCが300MPa/%以上、好ましくは400MPa/%以上である。前記の接線係数TCが300MPa/%以上であるAl合金を選択する方法は、簡便で効率的な高信頼性ボンディングAlワイヤの探索方法として適用できる。
摘要（中）：

在功率半导体装置的工作温度的上升，利用接合的Al线和Al线的半导体装置能够实现具有比常规的高的可靠性，以及在Al导线的检索方法更高的接合连接。 本发明中，铝合金的粘接Al线，示出了应力和应变之间的关系的曲线在从室温的温度范围300℃的测量 - 在（应力 - 应变图）时，应力 - 应变图的产率 作为真正的相对于从图屈服后的真应变的应力的斜率获得切线系数TC通过后的计算真应力和（Δρt）和真应变差（Δεt）的差的比（Δρt/Δεt） 为300MPa /％以上，优选为400MPa /％以上。 的Al合金如何切线系数的选择的TC为300MPa /％以上能够作为便利搜索有效地可靠接合Al导线的方法来施加。

摘要（英）：

The rise in operating temperature of the power semiconductor device, a semiconductor device using the bonding Al wire and the Al wire that can achieve bonding connection portion having a conventional more reliable, as well as search method of the Al wire. Bonding Al wire of the present invention is made of aluminum alloy, the curve showing the relationship between stress and strain is measured in the temperature range of 300 ° C. from room temperature - in (stress-strain diagram), the stress - yield strain diagram It is obtained as the slope of the true stress to the true strain after surrender by calculating from the diagram and the difference between the true stress (Δρ t) the ratio of the true strain of the difference (Δε t) (Δρ t / Δε t) after tangent coefficient TC is 300MPa /% or more, preferably 400MPa /% or more. How to tangent coefficient TC of the selects the Al alloy is 300MPa /% or more, it can be applied as a method of searching for efficient reliable bonding Al wire in a convenient.

公开/授权文献
信息查询
Espacenet
0/0