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公开(公告)号:JP6090721B2
公开(公告)日:2017-03-08
申请号:JP2014518769
申请日:2013-05-27
申请人: 国立大学法人茨城大学 , 日本ピストンリング株式会社
IPC分类号: H01L25/07 , H01L25/18 , H01L29/78 , H01L29/739 , H01L21/60
CPC分类号: H01L24/48 , H01L24/43 , H01L24/45 , H01L25/072 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/32225 , H01L2224/43848 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/48455 , H01L2224/48456 , H01L2224/48472 , H01L2224/4851 , H01L2224/48724 , H01L2224/48755 , H01L2224/48824 , H01L2224/48855 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265 , H01L2224/85205 , H01L2224/85455 , H01L2224/85948 , H01L24/32 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L25/18 , H01L2924/00011 , H01L2924/01047 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787
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公开(公告)号:JP6272674B2
公开(公告)日:2018-01-31
申请号:JP2013226459
申请日:2013-10-31
申请人: 日本ピストンリング株式会社 , 国立大学法人茨城大学
IPC分类号: H01L21/60
CPC分类号: C22C21/06 , H01L24/05 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/04042 , H01L2224/05624 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/484 , H01L2224/48472 , H01L2224/4851 , H01L2224/48724 , H01L2224/85207 , H01L2224/85948 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/1301 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/3512 , H01L2924/01012 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01028 , H01L2924/013 , H01L2924/2076 , H01L2924/2075 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/20754 , H01L2924/20755 , H01L2924/20756 , H01L2924/20757 , H01L2924/20758 , H01L2924/20759 , H01L2924/20103 , H01L2924/20104 , H01L2924/20105 , H01L2924/20106 , H01L2924/00 , H01L2924/00013 , H01L2224/43
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公开(公告)号:JP2017001049A
公开(公告)日:2017-01-05
申请号:JP2015115420
申请日:2015-06-08
申请人: 国立大学法人茨城大学
IPC分类号: C22C18/04 , C22C21/00 , B23K20/00 , B23K1/00 , H01L21/52 , H01L25/07 , H01L25/18 , B23K101/40 , B23K35/28
CPC分类号: H01L2224/48091 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/73265
摘要: 【課題】濡れ性を十分に確保しつつ、高温の接合強度が高く、且つ、変態超塑性応力歪緩和機能の利用によって接続信頼性の大幅な向上を図ることができる、合金接合材による接合層構造と接合方法、並びに前記接合層構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 【解決手段】本発明の接合層構造は、被接合材AとBとを合金接合材によって接合した接合部に形成されるものであって、前記合金接合材がZn−Al共析系合金であり、且つ、Alが22質量%以上68質量%未満で、残部がZn及び2質量%未満の微量金属成分を有する組成からなり、変態超塑性応力歪緩和機能を発現する相変態温度を通過させることによって形成される、Al中にZnが片状、棒状及び樹枝状の少なくとも何れかで分散した組織を有することを特徴とする。 【選択図】図1
摘要翻译: A,而润湿性是足够的,较高的高温结合强度,并可以通过使用变超塑性应力 - 应变松弛功能,通过合金接合材料的接合层的实现连接可靠性的改善显著 结构和接合方法,并提供一种具有所述粘结层的结构的半导体器件。 本发明中,这是在焊接材料A和B的和结形成的粘结层的结构是由合金接合材料接合,在Zn-Al的合金接合材料共析系合金 在那里,并且,Al为小于22质量%以上68重量%以下,余量是具有锌的痕量金属组分和小于2重量%的组合物,通过相变温度表达变超塑性应力应变松弛函数的传递 由形成,锌在所述Al的特征在于具有一个薄片,分散组织或者棒状和树突最少。 点域1
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公开(公告)号:JP2018142649A
公开(公告)日:2018-09-13
申请号:JP2017036877
申请日:2017-02-28
申请人: 国立大学法人茨城大学
IPC分类号: C25D5/50 , C25D7/12 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532 , C25D3/38 , H01L21/288
摘要: 【課題】低抵抗かつ微細な銅配線を得る。 【解決手段】この不純物による被覆率が小さくなるに従って結晶粒が粗大化していることが確認できる。特に、この被覆率が25%の場合(c)には、被覆率が0の場合(d)と同等に平均粒径が大きく、かつ50%の場合(b)よりも大幅に大きく向上している。また、前記の通り、6N、9Nのめっき液を用いた場合には、ここで問題となる不純物は主にClとOの化合物であり、Feの濃度は低い。このため、上記の被覆率は、結晶粒の表面を構成する原子がこのような不純物の原子で覆われた割合に対応する。上記のように、例えばめっき液の濃度を9Nとし、かつ添加剤の濃度を調整して熱処理工程前における銅層の平均粒径を28nm以下と小さくしてから熱処理を行うことにより、上記のようにこの被覆率が25%とした場合でも、銅層の比抵抗を従来の4μΩ・cmよりも低下させることができる。 【選択図】図15
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公开(公告)号:JP5963191B2
公开(公告)日:2016-08-03
申请号:JP2012124608
申请日:2012-05-31
申请人: 国立大学法人茨城大学
IPC分类号: H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/28 , H01L21/288 , C25D7/12 , C25D17/10 , C25D5/50 , H01L21/3205
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6.半導体集積回路装置用バリア材の探索方法及び当該探索方法によって探索される半導体集積回路装置用バリア材 有权
标题翻译: 用于阻挡材料的半导体集成电路装置中由搜索方法和半导体集成电路装置的阻挡材料的搜索方法来搜索公开(公告)号:JP5754702B2
公开(公告)日:2015-07-29
申请号:JP2011030514
申请日:2011-02-16
申请人: 国立大学法人茨城大学
IPC分类号: H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/3205
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公开(公告)号:JP6799843B2
公开(公告)日:2020-12-16
申请号:JP2016086074
申请日:2016-04-22
申请人: 国立大学法人茨城大学
IPC分类号: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/285 , C23C14/22 , C23C14/14 , C23C14/38 , C23C14/34
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公开(公告)号:JP6649303B2
公开(公告)日:2020-02-19
申请号:JP2017036877
申请日:2017-02-28
申请人: 国立大学法人茨城大学
IPC分类号: C25D5/50 , C25D7/12 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532 , C25D3/38 , H01L21/288
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公开(公告)号:JP2017193770A
公开(公告)日:2017-10-26
申请号:JP2016086074
申请日:2016-04-22
申请人: 国立大学法人茨城大学
IPC分类号: H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L21/285 , C23C14/22 , C23C14/14 , C23C14/38 , H05H1/46 , C23C14/34
摘要: 【課題】緻密な構造のRu層(金属層)を低温で成膜する。 【解決手段】基板ホルダ13とカソード電極12間には、チャンバ10外に設けられた直流電源22を介して、カソード電極12が負側となるような直流(DC)電圧が印加される。ここでは、スパッタリングターゲット11、カソード電極12をその鉛直方向に沿った中心軸の周りで巻回するヘリカルコイル14が設けられている。ヘリカルコイル14には、チャンバ10外に設けられた高周波電源23によって高周波電力が印加される。ヘリカルコイル14を用いることによって、基板100の温度が400℃以下の場合でも、良好な膜質のRuバリアメタル層を得ることができる。 【選択図】図1
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