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发明专利
JPWO2016136596A1 上層膜形成用組成物、並びに、それを用いたパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法 审中-公开

上層膜形成用組成物、並びに、それを用いたパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法
摘要：
重合体を含有するフォトレジスト用の上層膜形成用組成物であって、重合体のゲルパーミッションクロマトグラフィーにより測定される分子量分布において、重量平均分子量4万以上の高分子量成分のピーク面積が、全体のピーク面積に対して0.1%以下である、フォトレジスト用の上層膜形成用組成物により、超微細の幅又は孔径(例えば、60nm以下)を有するトレンチパターン又はホールパターンを、高いフォーカス余裕度(DOF:Depth of Focus)性能にて形成可能な上層膜形成用組成物、並びに、それを用いたパターン形成方法及び電子デバイスの製造方法を提供する。
摘要（英）：

A composition for formation of upper layer film for a photoresist containing the polymer, the molecular weight distribution measured by gel permeation chromatography of the polymer, the peak area of ​​the weight average molecular weight of 40,000 or more of the high molecular weight component, the entire 0.1% or less with respect to the peak area, the upper layer film forming composition for a photoresist, the width or diameter of the ultrafine (e.g., 60 nm or less) a trench pattern or a hole pattern having a high focus margin degrees (DOF: Depth of Focus) forming an upper layer film composition capable of forming at performance, as well as to provide a pattern forming method and a manufacturing method of an electronic device using the same.

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