-
公开(公告)号：JPWO2016052178A1
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016551900
申请日：2015-09-15
申请人： 富士フイルム株式会社
CPC分类号： G03F7/11 , C08F2/48 , C08F220/18 , C09D133/08 , C09D133/10 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/0397 , G03F7/091 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/327 , G03F7/38 , G03F7/40 , C08F2220/283 , C08F2220/1875 , C08F2220/185
摘要： 本発明は、フォーカス余裕度及び露光余裕度に優れ、且つ、ラインエッジラフネスの抑制されたパターンを形成することができるパターン形成方法、及び、このパターン形成方法において好適に使用される保護膜形成用組成物に関する。本発明のパターン形成方法は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を基板上に塗布して感活性光線性又は感放射線性膜を形成する工程、保護膜形成用組成物を上記感活性光線性又は感放射線性膜上に塗布して保護膜を形成する工程、上記保護膜で被覆された感活性光線性又は感放射線性膜を露光する工程、及び、露光された上記感活性光線性又は感放射線性膜を、有機溶剤を含有する現像液で現像する工程を含み、上記保護膜は、エーテル結合、チオエーテル結合、ヒドロキシル基、チオール基、カルボニル結合及びエステル結合からなる群より選択される基又は結合を少なくとも一つ含む化合物(A)と、樹脂(X)とを含有する。
-
2.发明专利感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、これを用いたレジスト膜、パターン形成方法、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス 有权光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物，和抗蚀剂膜图案形成方法，使用其的电子装置的制造方法，以及电子设备
公开(公告)号：JP5659119B2
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：JP2011207021
申请日：2011-09-22
申请人： 富士フイルム株式会社
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/325 , Y10T428/24802
-
3.发明专利感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、並びに、この組成物を用いた感活性光線性又は感放射線性膜及びパターン形成方法 有权光化射线敏感或辐射敏感树脂组合物，以及敏感或辐射敏感膜和使用该组合物的图案形成方法
公开(公告)号：JP5618815B2
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：JP2010288728
申请日：2010-12-24
申请人： 富士フイルム株式会社
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/2041
-
-
-
公开(公告)号：JP5568532B2
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：JP2011207016
申请日：2011-09-22
申请人： 富士フイルム株式会社
CPC分类号： G03F7/325 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/0755 , G03F7/0758 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/40 , Y10T428/24479
摘要： An actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition capable of forming a hole pattern which has an ultrafine pore diameter (for example, 60 nm or less) and has an excellent cross-sectional shape with excellent local pattern dimensional uniformity; and a resist film, a pattern forming method, a method for preparing an electronic device, and an electronic device, each using the same, are provided. The actinic ray-sensitive or radiation-sensitive resin composition includes (P) a resin containing 30 mol % or more of a repeating unit (a) represented by the following general formula (I) based on all the repeating units; (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation of actinic rays or radiation; and (G) a compound having at least one of a fluorine atom and a silicon atom, and further having basicity or being capable of increasing the basicity by an action of an acid:
-
7.发明专利
公开(公告)号：JP5469908B2
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：JP2009099418
申请日：2009-04-15
申请人： 富士フイルム株式会社
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/38 , H01L21/027
摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an active-ray sensitive or radiation-sensitive resin composition which is improved in development defects and distance dependence of a pattern, and to provide a method for forming a pattern that uses the composition. SOLUTION: The active-ray sensitive or radiation-sensitive resin composition comprises (A) a resin having a specified repeating unit having a norbornane structure in a side chain, and the solubility of which with an alkali developing solution is increased by an action of an acid; (B) a compound generating an acid by irradiation with active rays or radiation; and (C) a resin containing at least either a fluorine atom or a silicon atom and having a group that is decomposed by an action of an alkali developing solution, to increase the solubility with the alkali developing solution. The method for forming a pattern is carried out by using the composition. COPYRIGHT: (C)2011,JPO&INPIT
-
公开(公告)号：JPWO2016052273A1
公开(公告)日：2017-06-29
申请号：JP2016551947
申请日：2015-09-18
申请人： 富士フイルム株式会社
CPC分类号： G03F7/11 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F2220/283 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/0397 , G03F7/091 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/327 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0274 , H01L21/0276
摘要： 本発明は、DOF及びELが良好なパターン形成方法、上記パターン形成方法により形成されたレジストパターン、及び、上記パターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。本発明のパターン形成方法は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を、基板上に塗布して、レジスト膜を形成する工程aと、上記レジスト膜上に上層膜形成用組成物を塗布することにより、上記レジスト膜上に上層膜を形成する工程bと、上記上層膜が形成された上記レジスト膜を露光する工程cと、上記露光された上記レジスト膜を、現像液を用いて現像してパターンを形成する工程dと、を備えるパターン形成方法あって、上記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が疎水性樹脂を含有する。
-
公开(公告)号：JPWO2016052384A1
公开(公告)日：2017-05-25
申请号：JP2016552005
申请日：2015-09-28
申请人： 富士フイルム株式会社
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/32 , G03F7/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/11 , C08F220/18 , C08F220/28 , C08F2220/283 , C09D133/08 , C09D133/14 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/091 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要： DOF、EL及び水残り欠陥性能が良好なパターン形成方法、上記パターン形成方法により形成されたレジストパターン、上記パターン形成方法に用いられる上層膜形成用組成物、及び、上記パターン形成方法を含む電子デバイスの製造方法を提供する。上記パターン形成方法は、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を、基板上に塗布して、レジスト膜を形成する工程aと、上記レジスト膜上に上層膜形成用組成物を塗布することにより、上記レジスト膜上に上層膜を形成する工程bと、上記上層膜が形成された上記レジスト膜を露光する工程cと、上記露光された上記レジスト膜を、有機溶剤を含む現像液を用いて現像してパターンを形成する工程dと、を備えるパターン形成方法あって、上記上層膜の表面における水の後退接触角が80°以上である。
-
公开(公告)号：JPWO2015159830A1
公开(公告)日：2017-04-13
申请号：JP2016513766
申请日：2015-04-10
申请人： 富士フイルム株式会社
IPC分类号： G03F7/004 , C07C309/06 , C07C309/12 , C07C309/17 , C07C381/12 , C07D217/08 , C07D327/06 , C07D333/06 , C07D493/18 , G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/20 , G03F7/32
CPC分类号： G03F7/0397 , C07C309/06 , C07C381/12 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/16 , G03F7/168 , G03F7/2006 , G03F7/2041 , G03F7/325 , G03F7/38 , G03F7/40 , H01L21/0274
摘要： 樹脂(A)、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する光酸発生剤(B)を含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物であり、光酸発生剤(B)として、下記一般式(1)で表される光酸発生剤(B1)と、光酸発生剤(B1)とは異なる光酸発生剤(B2)を少なくとも含有する感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。【化1】
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
26 条记录 (耗时 0.045 秒)
