发明授权
- 专利标题: 레지스트 변성용 조성물 및 패턴 형성 방법
- 专利标题(英): Resist-modifying composition and pattern forming process
- 专利标题(中): 电阻修饰组合物和图案形成工艺
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申请号: KR1020100047812申请日: 2010-05-24
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公开(公告)号: KR101699077B1公开(公告)日: 2017-01-23
- 发明人: 와따나베,다께루 , 가따야마,가즈히로 , 이이오,마사시 , 하따께야마,준 , 니시,츠네히로 , 긴쇼,다께시
- 申请人: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
- 申请人地址: 일본 도꾜도 지요다꾸 오떼마치 *쪼메 *방 *고
- 专利权人: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
- 当前专利权人: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
- 当前专利权人地址: 일본 도꾜도 지요다꾸 오떼마치 *쪼메 *방 *고
- 代理商 장수길; 박보현; 위혜숙
- 优先权: JPJP-P-2009-125429 2009-05-25
- 主分类号: G03F7/039
- IPC分类号: G03F7/039 ; G03F7/004 ; G03F7/20 ; H01L21/027
摘要:
본발명은 1) 산의작용으로알칼리용해성이증가하는반복단위와락톤구조함유반복단위를갖는고분자화합물을포함하는포지티브형레지스트재료를기판상에도포하여제1 레지스트막을형성하고, 가열처리후에노광하고, 가열처리후에알칼리현상하여제1 레지스트패턴을형성하는공정, 2) 제1 레지스트패턴상에레지스트변성용조성물을도포하고, 가열하여변성처리를행하는공정, 3) 그위에제2 포지티브형레지스트재료를도포하고, 가열처리후에노광하고, 가열처리후에알칼리현상하여제2 레지스트패턴을형성하는공정을 포함하는패턴형성방법에사용되는레지스트변성용조성물로서, 하기화학식 (1)로표시되는반복단위를갖는베이스수지와알코올계용제를포함한다.(A은에테르기함유가능한알킬렌기이고, R은 H 또는메틸기이고, R는알킬기, 또는서로결합하여질소원자함유헤테로환을형성할수도있음) 본발명에따르면, 제1 패턴의충분한불활성화, 제2 패터닝후의유지가가능해져, 2회의노광과 1회의드라이에칭으로기판을가공하는더블패터닝공정이가능하다.
公开/授权文献
- KR1020100127184A 레지스트 변성용 조성물 및 패턴 형성 방법 公开/授权日:2010-12-03
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